关于PSP-SOI模型在RF SOI工艺上的优势分析和应用
在不断发展的无线互联世界里，rf soi（silicon-on-insulator）工艺技术以其独特的技术和成本优势，成为智能手机射频前端模块的首选技术之一。尤其在射频开关领域，soi技术以低功耗、高隔离以及高线性度等方面特性赢得众多设计者的青睐。
2015年年初，华虹宏力的0.2微米射频soi第二代工艺平台正式发布推向市场，并首次采用了psp-soi模型，为设计者提供精准的各种器件特性描述。相较于bsim-soi模型，psp-soi能够更精准地描述模拟特性以及电流高阶导数的连续性。此外，最重要的一点，在射频大信号的谐波仿真预测上，psp-soi模型也能准确地描述各谐波的趋势。
psp-soi（pd）模型是在psp模型的基础上，加入了对soi器件各种特殊效应的描述。如浮体效应，价带隧道效应电流等。并且包含了对一些特殊寄生效应的详细描述。如源漏结二极管，采用juncap2模型对漏电的非线性进行了详尽的描述，该模型除了包括源漏理想的偏移电流及扩散电流，还考虑了带间隧道效应及陷阱辅助穿隧因素。另外，自热效应在soi工艺中是众所周知的，本模型采用了标准的辅助热电路方式，通过直流能量的转化来检测温度的升高。模型还对寄生三极管效应、非线性体电阻、高低频噪声、电压电流等高阶倒数等效应进行了详尽的描述。除此之外，模型还对衬底网络进行了一定的描述。
该模型经过与实测数据的对比验证，从直流，到交流，从射频小信号到射频大信号的谐波验证，都得到了较好的吻合。基于psp-soi模型的这套工艺设计工具（pdk）极大的方便了设计者针对射频性能和芯片面积同时进行优化，减少了设计反复，设计并制造出高性能、低功耗的射频开关。
值得一提的是，模型团队最近又建立了大信号测试负载牵引系统，建立了晶圆级别的大信号测试能力，从而为将来进一步验证器件及电路特性，以及进行更精准的模型验证，提供更有力的支持。
通过研发团队的不断努力，同时与客户保持紧密沟通从而清晰地理解设计需求，我们将工艺技术持续优化提升。华虹宏力第三代射频soi工艺平台预计将在今年第四季度推出。随着模型的不断成熟，随着pdk后端抽取的更精准优化，华虹宏力将为客户提供更加完善的射频解决方案，帮助客户抢占市场先机，让我们拭目以待。
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