MOS晶体管的工作原理
mos管的全称是 metal oxide semiconductor field effect transistor(金属氧化物半导体场效应晶体管)。
如图所示这是一个n沟道的mos晶体管，一共有三个级，漏极，栅极、源极。
mos晶体管可以实现的功能是：当栅极没有电压时，它是截止的，当给栅极一个电压之后mos晶体管就导通了。
上图为mos管的半导体结构
n代表是n型半导体(negative)，n型半导体掺入了五价的磷元素。
p代表p型半导体(positive)，p型半导体在纯净的硅晶体中掺入了三价的硼。
因为掺入了五价的磷元素，所以有多的自由电子，因为自由电子带负电，所以英文名字叫negative(消极的，负电的)。
因为在纯的硅晶体中掺入了三价的硼，导致最外层没有形成8电子的稳定结构，缺少电子形成了空穴带正电，所以英文名字叫positive(正点的，正极的)，在这里很重要的是，p型半导体同样也是含有自由电子的只是没有n型半导体的自由电子数多。
当接通电源的时候，电流的流向和电子的流向如上图所示。
由于p型半导体和n型半导体等效成了两个二极管(模型上的等效，实际上不能进行等效)，导致电路没有办法进行导通。
当在p型半导体上面加上绝缘层金属板并通上电之后，p型半导体的自由电子迅速向绝缘层方向靠近，就形成了n沟道，并且顺利导通。
同时mos管还具有如下特点;
1.由于有绝缘层的存在，mos管栅极输入阻抗非常高。
2.mos管栅极很容易被静电击穿，造成永久损坏。
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n代表是n型半导体(negative)，n型半导体掺入了五价的磷元素。
p代表p型半导体(positive)，p型半导体在纯净的硅晶体中掺入了三价的硼。
因为掺入了五价的磷元素，所以有多的自由电子，因为自由电子带负电，所以英文名字叫negative(消极的，负电的)。
因为在纯的硅晶体中掺入了三价的硼，导致最外层没有形成8电子的稳定结构，缺少电子形成了空穴带正电，所以英文名字叫positive(正点的，正极的)，在这里很重要的是，p型半导体同样也是含有自由电子的只是没有n型半导体的自由电子数多。
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