VDD和VSS并联钳位二极管和串联电阻进行保护
在本文中，我们不涉及关于emc的设计建议。然而，在组件水平上，所使用的技术所固有的“锁存”现象是唯一考虑的因素。
cmos结构封装括一个pnpn可控硅类型单元，由vdd和vss之间的寄生晶体管产生。当寄生可控硅被扰动激活，导致了µc的电源短路，并导致内部结构的破坏时，就会出现一种延迟现象。以下的条件可能会导致“锁存”:
ü输入/输出电压的电压高于vdd或低于vss的电压。
ü电源电压vdd比vddmax高
ü电源vdd急剧变化。
µc有对静电保护，输入是在内部配置保护网络，通过对vdd和vss并联钳位二极管和串联电阻进行保护。
然而，这种内部保护电路必须在设计层面上的预防措施来完成。建议:
ü保持µc在其额定范围内的电源电压。
ü用低通滤波器将输入信号与高频信号连接
ü在连接器的引脚上直接放置一个静电电容，以得到保护。
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