半导体所在石墨烯上外延深紫外LED研究中取得新进展
深紫外led可以广泛应用于杀毒、消菌、印刷和通信等领域，国际水俣公约的提出，促使深紫外led的全面应用更是迫在眉睫，但是商业化深紫外led不到10%的外量子效率严重限制了深紫外led的应用。aln材料质量是深紫外led的核心因素之一，aln薄膜主要是通过金属有机化学气相沉积（mocvd）的方法异质外延生长在c-蓝宝石、6h-sic和si（111）衬底上，aln与衬底之间存在较大的晶格失配与热失配，使得外延层中存在较大的应力与较高的位错密度，严重降低器件性能。与此同时，aln前驱体在这类衬底上迁移势垒较高，浸润性较差，倾向于三维岛状生长，需要一定的厚度才可以实现融合，增加了时间成本。
最近，中科院半导体所照明研发中心与北京大学纳米化学研究中心、北京石墨烯研究院刘忠范院士团队合作，开发出了石墨烯/蓝宝石新型外延衬底，并提出了等离子体预处理改性石墨烯，促进aln薄膜生长实现深紫外led的新策略。通过dft计算发现，等离子体预处理向石墨烯中引入的吡咯氮，可以有效促进aln薄膜的成核生长。在较短的时间内即可获得高品质aln薄膜，其具有低应力、较低的位错密度，深紫外led器件表现出了良好的器件性能。该成果以题为“improved epitaxy of aln film for deep-ultraviolet light-emitting diodes enabled by graphene”发表在adv. mater.上（doi: 10.1002/adma.201807345）。半导体所李晋闽研究员、魏同波研究员与北京大学刘忠范院士、高鹏研究员作为论文共同通讯作者，陈召龙博士与刘志强研究员为论文共同第一作者。
同时，魏同波研究员与刘忠范院士团队合作提出了石墨烯/npss纳米图形衬底外延aln的生长模型，理论计算和实验验证了石墨烯表面金属原子迁移增强规律，石墨烯使npss上aln的合并时间缩短三分之二，同时深紫外led功率得到明显提高，使深紫外光源有望成为石墨烯产业化的一个突破口。相关成果在appl. phys. lett. 114, 091107 (2019)发表后被选为featured article，并被aipscilight以题为“new aln film growth conditions enhance emission of deep ultraviolet leds”专门报道，也被半导体领域两大知名评论杂志compound semiconductor杂志版（2019年第3期）和semiconductor today同时长篇报道。
此外，针对深紫外发光器件中p型掺杂国际技术难题，刘志强研究员提出了缺陷共振态p型掺杂新机制，该方法基于能带调控，获得高效受主离化率的同时，维持了较高的空穴迁移率，实现了0.16 ω.cm的p型氮化镓电导率，为后续石墨烯在深紫外器件透明电极中的应用奠定基础，经查新为该领域迄今国际最好结果。相关成果发表在semicond. sci. technol. 33, 114004 (2018)，并获该期刊2018年度青年科学家最佳论文奖，该成果也得到2014年诺贝尔物理学奖获得者amano教授的积极评价。
上述系列研究工作得到国家重点研发计划、国家自然科学基金、北京市自然基金的支持。
Tiger Lake-U的3DMark跑分泄露，EU数量大幅增加
VDD和VSS并联钳位二极管和串联电阻进行保护
试图解构AI思维逻辑台大徐宏民力赞可信任的AI
XML在医疗保健行业的应用
全新激光模式，或将引发全新3D打印技术变革
半导体所在石墨烯上外延深紫外LED研究中取得新进展
预充电原理 电池为什么要预充电？
LV为苹果AirPods打造一款定制保护套 售价飙升
双面散热功率模块的现状和设计挑战
如何利用工业级IMU减少正交误差的影响
小米够无耻，靠“石墨烯”电池炒作，你确定还要买小米6吗？
iphone13promax颜色有几个
上海伯东光刻机氦质谱检漏法
开源赋能 普惠未来｜京东集团寄语2023开放原子全球开源峰会
下一代智能汽车开发毫米波雷达系统和天线阵列技术背后的挑战性技术
openEuler社区理事会成立：发布开源软件供应链点亮计划，推进国内操作系统生态发展
荣耀9怎么样？6G运存+2000万双摄，华为荣耀9直降300被网友点赞“值”
土壤团粒结构分析仪可帮助我们了解土壤状况
功率放大器的信号输入模式的种类及选择意义
人工智能技术是学什么 人工智能nlp指的是什么
最近，中科院半导体所照明研发中心与北京大学纳米化学研究中心、北京石墨烯研究院刘忠范院士团队合作，开发出了石墨烯/蓝宝石新型外延衬底，并提出了等离子体预处理改性石墨烯，促进aln薄膜生长实现深紫外led的新策略。通过dft计算发现，等离子体预处理向石墨烯中引入的吡咯氮，可以有效促进aln薄膜的成核生长。在较短的时间内即可获得高品质aln薄膜，其具有低应力、较低的位错密度，深紫外led器件表现出了良好的器件性能。该成果以题为“improved epitaxy of aln film for deep-ultraviolet light-emitting diodes enabled by graphene”发表在adv. mater.上（doi: 10.1002/adma.201807345）。半导体所李晋闽研究员、魏同波研究员与北京大学刘忠范院士、高鹏研究员作为论文共同通讯作者，陈召龙博士与刘志强研究员为论文共同第一作者。
同时，魏同波研究员与刘忠范院士团队合作提出了石墨烯/npss纳米图形衬底外延aln的生长模型，理论计算和实验验证了石墨烯表面金属原子迁移增强规律，石墨烯使npss上aln的合并时间缩短三分之二，同时深紫外led功率得到明显提高，使深紫外光源有望成为石墨烯产业化的一个突破口。相关成果在appl. phys. lett. 114, 091107 (2019)发表后被选为featured article，并被aipscilight以题为“new aln film growth conditions enhance emission of deep ultraviolet leds”专门报道，也被半导体领域两大知名评论杂志compound semiconductor杂志版（2019年第3期）和semiconductor today同时长篇报道。
此外，针对深紫外发光器件中p型掺杂国际技术难题，刘志强研究员提出了缺陷共振态p型掺杂新机制，该方法基于能带调控，获得高效受主离化率的同时，维持了较高的空穴迁移率，实现了0.16 ω.cm的p型氮化镓电导率，为后续石墨烯在深紫外器件透明电极中的应用奠定基础，经查新为该领域迄今国际最好结果。相关成果发表在semicond. sci. technol. 33, 114004 (2018)，并获该期刊2018年度青年科学家最佳论文奖，该成果也得到2014年诺贝尔物理学奖获得者amano教授的积极评价。
上述系列研究工作得到国家重点研发计划、国家自然科学基金、北京市自然基金的支持。
Tiger Lake-U的3DMark跑分泄露，EU数量大幅增加
VDD和VSS并联钳位二极管和串联电阻进行保护
试图解构AI思维逻辑台大徐宏民力赞可信任的AI
XML在医疗保健行业的应用
全新激光模式，或将引发全新3D打印技术变革
半导体所在石墨烯上外延深紫外LED研究中取得新进展
预充电原理 电池为什么要预充电？
LV为苹果AirPods打造一款定制保护套 售价飙升
双面散热功率模块的现状和设计挑战
如何利用工业级IMU减少正交误差的影响
小米够无耻，靠“石墨烯”电池炒作，你确定还要买小米6吗？
iphone13promax颜色有几个
上海伯东光刻机氦质谱检漏法
开源赋能 普惠未来｜京东集团寄语2023开放原子全球开源峰会
下一代智能汽车开发毫米波雷达系统和天线阵列技术背后的挑战性技术
openEuler社区理事会成立：发布开源软件供应链点亮计划，推进国内操作系统生态发展
荣耀9怎么样？6G运存+2000万双摄，华为荣耀9直降300被网友点赞“值”
土壤团粒结构分析仪可帮助我们了解土壤状况
功率放大器的信号输入模式的种类及选择意义
人工智能技术是学什么 人工智能nlp指的是什么