IR 推出第八代 1200V IGBT技术平台
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （international rectifier，简称ir） 推出新一代绝缘栅双极型晶体管 （igbt） 技术平台。全新第八代 （gen8） 1200v igbt技术平台采用ir的新一代沟道栅极场截止技术，为工业及节能应用提供卓越性能。
全新的gen8设计可让高性能vce（on） 降低功耗及增加功率密度，并可提供超卓的耐用性。ir亚太区销售副总裁潘大伟表示：“通过开发全新基准技术及顶尖的igbt硅平台，彰显出ir在数十年来致力提升功率电子技术的承诺。我们期望为所有电动马达提供百分之百变频，以期更有效地使用电能及绿化环境。”
新技术针对电机驱动应用提供更好的软关断功能，有助于把dv/dt降到最低，从而减少电磁干扰、抑制过压，从而提升可靠性与耐用性。这个平台的参数分布较窄，在高电流功率模块内并联起多个igbt之时，可提供出色的电流分配。薄晶圆技术则改善了热电阻和达到175°c的最高结温。
潘大伟补充道：“ir的gen8 igbt平台旨在为工业应用提供卓越技术。该igbt平台凭借高性能vce（on）、超卓的耐用性及一流的开关功能，使工业市场中的艰巨难题迎刃而解。”
欲了解更多信息，请浏览ir网站 www.irf.com。
产品规格
产品供应
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