静电放电ESD三种模型及其防护设计
esd：electrostatic discharge，即是静电放电，每个从事硬件设计和生产的工程师都必须掌握esd的相关知识。为了定量表征esd特性，一般将esd转化成模型表达方式，esd的模型有很多种，下面介绍常用的三种：
1.hbm：human body model，人体模型：(1500ω±10% / 100pf±10%) 该模型表征人体带电接触器件放电，rb为等效人体电阻，cb为等效人体电容。等效电路如下图。图中同时给出了器件hbm模型的esd等级。
2.mm：machine model，机器模型：(0ω±10% / 200pf±10%) 机器模型的等效电路与人体模型相似，但等效电容(cb)是200pf，等效电阻为0，机器模型与人体模型的差异较大，实际上机器的储电电容变化较大，但为了描述的统一，取200pf。由于机器模型放电时没有电阻，且储电电容大于人体模式，同等电压对器件的损害，机器模式远大于人体模型。
3.cdm：charged device model，充电器件模型：半导体器件主要采用三种封装型式(金属、陶瓷、塑料)。它们在装配、传递、试验、测试、运输及存贮过程中，由于管壳与其它绝缘材料(如包装用的塑料袋、传递用的塑料容器等)相互磨擦，就会使管壳带电。器件本身作为电容器的一个极板而存贮电荷。cdm模型就是基于已带电的器件通过管脚与地接触时，发生对地放电引起器件失效而建立的，器件带电模型如下：
器件的esd等级一般按以上三种模型测试，大部分esd敏感器件手册上都有器件的esd数据，一般给出的是hbm和mm。
通过器件的esd数据可以了解器件的esd特性，但要注意，器件的每个管脚的esd特性差异较大，某些管脚的esd电压会特别低，一般来说，高速端口，高阻输入端口，模拟端口esd电压会比较低。
esd防护是一项系统工程，需要各个环节的控制。下图是一个esd防护的流程图：
esd防护设计可分为单板防护设计、系统防护设计、加工环境设计和应用环境防护设计，单板防护设计可以提高单板esd水平，降低系统设计难度和系统组装的静电防护要求。当系统设计还不能满足要求时，需要进行应用环境设计防护设计。esd敏感器件在装联和整机组装时，环境的esd直接加载到器件，所以加工环境的esd防护是至关重要的。
一般整机、单板、接口的接触放电应达到±2000v(hbm)以上的防护要求。器件的esd防护设计是在器件不能满足esd环境要求的情况下，通过衰减加到器件上的esd能量达到保护器件的目的。esd是电荷放电，具有电压高，持续时间短的特点，根据这些特点，esd能量衰减可通过电压限制、电流限制、高通滤波、带通滤波等方式实现，所以防护电路的形式多种多样。
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2.mm：machine model，机器模型：(0ω±10% / 200pf±10%) 机器模型的等效电路与人体模型相似，但等效电容(cb)是200pf，等效电阻为0，机器模型与人体模型的差异较大，实际上机器的储电电容变化较大，但为了描述的统一，取200pf。由于机器模型放电时没有电阻，且储电电容大于人体模式，同等电压对器件的损害，机器模式远大于人体模型。
3.cdm：charged device model，充电器件模型：半导体器件主要采用三种封装型式(金属、陶瓷、塑料)。它们在装配、传递、试验、测试、运输及存贮过程中，由于管壳与其它绝缘材料(如包装用的塑料袋、传递用的塑料容器等)相互磨擦，就会使管壳带电。器件本身作为电容器的一个极板而存贮电荷。cdm模型就是基于已带电的器件通过管脚与地接触时，发生对地放电引起器件失效而建立的，器件带电模型如下：
器件的esd等级一般按以上三种模型测试，大部分esd敏感器件手册上都有器件的esd数据，一般给出的是hbm和mm。
通过器件的esd数据可以了解器件的esd特性，但要注意，器件的每个管脚的esd特性差异较大，某些管脚的esd电压会特别低，一般来说，高速端口，高阻输入端口，模拟端口esd电压会比较低。
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一般整机、单板、接口的接触放电应达到±2000v(hbm)以上的防护要求。器件的esd防护设计是在器件不能满足esd环境要求的情况下，通过衰减加到器件上的esd能量达到保护器件的目的。esd是电荷放电，具有电压高，持续时间短的特点，根据这些特点，esd能量衰减可通过电压限制、电流限制、高通滤波、带通滤波等方式实现，所以防护电路的形式多种多样。
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