当前半导体制程微缩已经来到10纳米节点以下,euv极紫外光光刻技术已成为不可或缺的设备,包括现在的7纳米制程,以及未来5纳米、3纳米甚至2纳米制程都将采用该技术。
藉由euv设备导入,不仅可以加快生产效率、提升良率,还能降低成本,除了晶圆代工业者积极导入,连dram存储器生产厂商也考虑引进。
为了因应制程微缩的市场需求,全球主要生产euv设备的厂商asml正积极开发下一代euv设备,就是high-na(高数值孔径)euv产品,预计几年内就能正式量产。
根据韩国媒体《etnews》报导,high-na的euv设备与目前euv设备的最大不同点,在于使用euv曝光时,透过提升透镜解析度,使解析度(resolution)和微影叠对(overlay)能力比现行euv系统提升70%,达到业界对几何式芯片微缩(geometric chip scaling)的要求。
asml利用德国蔡司半导体业务部门的技术提升透镜解析度,就为了此目的,asml于2016年正式收购了德国蔡司半导体业务部门24.9%股权。
针对下一代high-na的euv产品,asml之前也已从3个主要客户取得4台订单,并售出8台high-na euv产品的优先购买权。这些订单中,晶圆代工龙头台积电也是其中之一。
事实上,2018年时,台积电就宣布增加3亿美元资本支出,为下一代euv设备的预付款,也就是已预购新一代high-na的euv设备。针对新一代high-na euv设备,asml预计2025年正式量产。
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