PN结对IGBT器件的重要性
igbt与功率mos最大的区别就是背面多了一个pn结，在正向导通时，背面pn结构向n-区注入空穴，使得n-区的电阻率急剧减小（即电导调制效应）。
因此理解pn结对我们了解igbt至关重要！
如下对pn结的iv特性展开全面阐述。
pn结最重要的特性为 整流特性 ，即正向导电，反向阻断。
如下仅考虑p+n单向突变结。
pn结i-v特性公式如下：
js定义如下：
其中nd/na分别为施主/受主浓度；dp/dn分别为空穴/电子扩散系数，τp/τn分别为空穴/电子寿命。
当电压为正时，pn结i-v特性简化如下：
当电压为负时，pn结的i-v特性简化如下：
当电压为正时，电压每增大60mv，电流增大10倍。
以上仅考虑扩散流（diffusion），
当考虑 产生（generation）-复合（recombination） 后，pn结i-v特性公式如下：
当电压为正时，电流由扩散和复合组成，pn结i-v特性简化如下：
当电压为负时，电流由扩散和产生组成，pn结i-v特性简化如下：
需注意的是，高温下，扩散流（公式第1项）占主导，主要表现为反向漏电流jr饱和。
还有一个最最重要的公式为pn结的击穿特性，公式如下：
常温下，硅临界击穿场强见下图：
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