Vishay推出新款ESD保护阵列VBUS053BZ-HNH
vishay推出新款esd保护阵列vbus053bz-hnh-g-08
vishay推出具有低容值和低漏电流的新款esd保护阵列vbus053bz-hnh-g-08，可保护usb-otg端口免受瞬态电压信号的损害。新的vbus053bz-hnh-g-08在5.5v工作电压范围内可提供3路usb esd保护，在12v工作电压范围内提供1路vbus保护。
vbus053bz-hnh-g-08采用无铅的llp1713-9m,封装，具有0.6mm的超低外形，可在高速数据应用中减少有源esd保护所需的电路板空间，如usb 2.0，hdtv及便携式游戏机、mp3播放器和手机等移动电子设备中的hdmi端口。
新器件的d+、d-和id三条数据线的容值低至0.7pf，在3.3v工作电压下的最大漏电流为0.085μa，5.5v电压下的漏电流为1μa。阵列对负瞬态的最大钳位电压大于4.1v，在3a电流下，可对数据线上的正瞬态提供小于18v的钳位电压。对于vbus线，vbus053bz-hnh-g-08在8a电流时的最大钳位电压为30v。
vbus053bz-hnh-g-08可提供per iec 61000-4-2(esd)规定的12kv(空气放电)和15kv(接触放电)瞬态保护，浪涌电流保护符合iec 6100-4-5标准，可达3a。
这款无铅器件采用无卤素的模压化合物，符合rohs 2002/95/ec和 weee 2002/96/ec规范。
新款usb-otg总线端口保护阵列现可提供样品，将于2010年第一季度量产，大宗订货的供货周期为八周至十周。
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vbus053bz-hnh-g-08采用无铅的llp1713-9m,封装，具有0.6mm的超低外形，可在高速数据应用中减少有源esd保护所需的电路板空间，如usb 2.0，hdtv及便携式游戏机、mp3播放器和手机等移动电子设备中的hdmi端口。
新器件的d+、d-和id三条数据线的容值低至0.7pf，在3.3v工作电压下的最大漏电流为0.085μa，5.5v电压下的漏电流为1μa。阵列对负瞬态的最大钳位电压大于4.1v，在3a电流下，可对数据线上的正瞬态提供小于18v的钳位电压。对于vbus线，vbus053bz-hnh-g-08在8a电流时的最大钳位电压为30v。
vbus053bz-hnh-g-08可提供per iec 61000-4-2(esd)规定的12kv(空气放电)和15kv(接触放电)瞬态保护，浪涌电流保护符合iec 6100-4-5标准，可达3a。
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