IC Insights：2018年半导体行业资本支出总额超1000亿美元 增长15％
ic insights预测，今年半导体行业的资本支出总额将增长15％至1071亿美元，这是该行业首次实现年度资本支出达到1000亿美元。
根据11月ic insights发布的半导体行业总资本支出数据显示，三星在半导体领域资本投入惊人，继2017年投入242亿美元后，2018年仍保持226亿美元的强劲水平。该数据几乎与英特尔和台积电两年资本支出总和484亿美元相媲美。
来源：ic insights
如图所示，从2010年开始，三星半导体资本支出首超100亿美元，到2016年平均每年为120亿美元。而且，在2016年支出113亿美元后，该公司在2017年资本支出预算增加了一倍以上。三星在2018年继续保持强劲的资本支出，这一惊人结果令业界印象深刻。
ic insights认为，三星2017年和2018年的大规模支出将在未来产生影响。首当其冲的是3d nand闪存市场产能过剩，该现象不仅归因于三星对3d nand闪存的巨额支出，还来自竞争对手（例如sk海力士，美光，东芝，英特尔等）的支出，这些竞争对手试图跟上这个细分市场的步伐。
随着dram和nand闪存市场在2018年前三季度出现强劲增长，sk海力士今年的资本支出增加。在1q18，sk海力士表示，它计划今年将其资本支出开支增加“至少30％”。在11月的数据更新中，icinsights预测sk海力士的半导体资本支出将增长58％。sk海力士今年增加的开支主要集中在两个大型存储晶圆厂，韩国清州的3dnand闪存晶圆厂，以及中国无锡的大型dram工厂的扩建。
新闻源：ic insights；allen yin/编译
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