三极管和MOS管驱动电路的正确用法
1 三极管和mos管的基本特性
三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化。 有npn型三极管和pnp型三极管两种，符号如下：
mos管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。 有p沟道mos管（简称pmos）和n沟道mos管（简称nmos），符号如下（此处只讨论常用的增强型mos管）：
2 三极管和mos管的正确应用
（1）npn型三极管
适合射极接gnd集电极接负载到vcc的情况。 只要基极电压高于射极电压（此处为gnd）0.7v，即发射结正偏（vbe为正），npn型三极管即可开始导通。 基极用高电平驱动npn型三极管导通（低电平时不导通）； 基极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到gnd；
优点是：①使基极控制电平由高变低时，基极能够更快被拉低，npn型三极管能够更快更可靠地截止； ②系统刚上电时，基极是确定的低电平。
（2）pnp型三极管
适合射极接vcc集电极接负载到gnd的情况。 只要基极电压低于射极电压（此处为vcc）0.7v，即发射结反偏（vbe为负），pnp型三极管即可开始导通。 基极用低电平驱动pnp型三极管导通（高电平时不导通）； 基极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到vcc；
优点是：①使基极控制电平由低变高时，基极能够更快被拉高，pnp型三极管能够更快更可靠地截止； ②系统刚上电时，基极是确定的高电平。
所以，如上所述：
对npn三极管来说，最优的设计是，负载r12接在集电极和vcc之间。 不够周到的设计是，负载r12接在射极和gnd之间。
对pnp三极管来说，最优的设计是，负载r14接在集电极和gnd之间。 不够周到的设计是，负载r14接在发射极和vcc之间。 这样，就可以避免负载的变化被耦合到控制端。 从电流的方向可以明显看出。
（3）pmos
适合源极接vcc漏极接负载到gnd的情况。 只要栅极电压低于源极电压（此处为vcc）超过vth（即vgs超过-vth），pmos即可开始导通。 栅极用低电平驱动pmos导通（高电平时不导通）； 栅极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到vcc，使栅极控制电平由低变高时，栅极能够更快被拉高，pmos能够更快更可靠地截止。
（4）核磁阻
适合源极接gnd漏极接负载到vcc的情况。 只要栅极电压高于源极电压（此处为gnd）超过vth（即vgs超过vth），nmos即可开始导通。 栅极用高电平驱动nmos导通（低电平时不导通）； 栅极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到gnd，使栅极控制电平由高变低时，栅极能够更快被拉低，nmos能够更快更可靠地截止。
所以，如上所述：
对pmos来说，最优的设计是，负载r16接在漏极和gnd之间。 不够周到的设计是，负载r16接在源极和vcc之间。
对nmos来说，最优的设计是，负载r18接在漏极和vcc之间。 不够周到的设计是，负载r18接在源极和gnd之间。
3 设计原则
为避免负载的变化被耦合到控制端（基极ib或栅极vgs）的精密逻辑器件（如mcu）中，负载应接在集电极或漏极。
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mos管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。 有p沟道mos管（简称pmos）和n沟道mos管（简称nmos），符号如下（此处只讨论常用的增强型mos管）：
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（1）npn型三极管
适合射极接gnd集电极接负载到vcc的情况。 只要基极电压高于射极电压（此处为gnd）0.7v，即发射结正偏（vbe为正），npn型三极管即可开始导通。 基极用高电平驱动npn型三极管导通（低电平时不导通）； 基极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到gnd；
优点是：①使基极控制电平由高变低时，基极能够更快被拉低，npn型三极管能够更快更可靠地截止； ②系统刚上电时，基极是确定的低电平。
（2）pnp型三极管
适合射极接vcc集电极接负载到gnd的情况。 只要基极电压低于射极电压（此处为vcc）0.7v，即发射结反偏（vbe为负），pnp型三极管即可开始导通。 基极用低电平驱动pnp型三极管导通（高电平时不导通）； 基极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到vcc；
优点是：①使基极控制电平由低变高时，基极能够更快被拉高，pnp型三极管能够更快更可靠地截止； ②系统刚上电时，基极是确定的高电平。
所以，如上所述：
对npn三极管来说，最优的设计是，负载r12接在集电极和vcc之间。 不够周到的设计是，负载r12接在射极和gnd之间。
对pnp三极管来说，最优的设计是，负载r14接在集电极和gnd之间。 不够周到的设计是，负载r14接在发射极和vcc之间。 这样，就可以避免负载的变化被耦合到控制端。 从电流的方向可以明显看出。
（3）pmos
适合源极接vcc漏极接负载到gnd的情况。 只要栅极电压低于源极电压（此处为vcc）超过vth（即vgs超过-vth），pmos即可开始导通。 栅极用低电平驱动pmos导通（高电平时不导通）； 栅极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到vcc，使栅极控制电平由低变高时，栅极能够更快被拉高，pmos能够更快更可靠地截止。
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适合源极接gnd漏极接负载到vcc的情况。 只要栅极电压高于源极电压（此处为gnd）超过vth（即vgs超过vth），nmos即可开始导通。 栅极用高电平驱动nmos导通（低电平时不导通）； 栅极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-20k到gnd，使栅极控制电平由高变低时，栅极能够更快被拉低，nmos能够更快更可靠地截止。
所以，如上所述：
对pmos来说，最优的设计是，负载r16接在漏极和gnd之间。 不够周到的设计是，负载r16接在源极和vcc之间。
对nmos来说，最优的设计是，负载r18接在漏极和vcc之间。 不够周到的设计是，负载r18接在源极和gnd之间。
3 设计原则
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