存储芯片巨头竞逐HBM 新品发布成美光股价助推器
美光推出了业界首款第二代hbm3，该产品已出样给客户；人工智能需求拉动下，扩产hbm、开发更高性能的产品，已经成为存储巨头们的共同选择；封装、材料、设备等环节随之受益。
当地时间周四（7月27日），存储芯片大厂美光科技（mu.us）涨超5%，单日涨幅创6月以来新高。同日费城半导体指数涨1.86%。
消息面上，7月26日，美光宣布推出业界首款8层24gb hbm（高带宽内存）3 gen2内存芯片，它是hbm3的下一代产品，采用1β工艺节点。这意味着美光成为业界第一个制造出第二代hbm3内存的厂商。
这款内存芯片总带宽超过1.2tb/s，引脚速度超过9.2gb/s，比hbm3提高50%。此外，hbm3gen2的每瓦性能是hbm3的2.5倍左右，能效大幅提升。
在官网产品页，美光着重强调了这款芯片对生成式ai的帮助作用——美光hbm3 gen2专为人工智能和超级计算而构建，“解锁了生成式ai的世界”可提供更高的内存容量，可提高性能并减少cpu负载，从而在大模型（例如chatgpt）进行推理时更快、更精确。
美光表示，24gb hbm3 gen2内存已经出样给客户。
人工智能的发展离不开强大存力，存储芯片承担着提升整体ai服务器的系统运算效能，以及存储器传输带宽等的重担。
随着人工智能需求激增，两大高性能存储芯片hbm和ddr5的价格和需求都在增长，在最近一次非公开企业说明会上，sk海力士预计，2024年hbm和ddr5的销售额有望翻番。
相较而言，hbm是一种基于3d堆叠工艺的dram内存芯片，其技术门槛更高、性能提升空间更大，相应地溢价更高，其价格是现有dram产品的5-6倍。
trendforce集邦咨询发表研报称，目前高端ai服务器gpu搭载hbm芯片已成主流，预计2023年全球hbm需求量将增近六成，达到2.9亿gb，2024年将再增长30%。
这一背景下，一方面，ai芯片公司正积极开拓新的hbm供应商。
从第四季度开始，三星将向英伟达供应hbm3，目前后者的hbm由sk海力士独供；另一方面，扩产hbm、开发更高性能的产品，已经成为存储巨头们的共同选择，以两大韩国厂商为例：
三星称，看到超大规模客户对hbm的高需求。计划在2024年将高带宽内存（hbm）供应能力同比翻倍。
有消息称sk海力士目标将hbm产能扩大2倍，另外，sk海力士继4月份开发出世界首款12层堆叠hbm3后又提出2026年生产hbm4。
从产业链上看，hbm市场火热也让封装、材料、设备等环节随之受益。
封装环节：由于hbm需要集成多个芯片，因此封装成为制造该产品的关键环节。譬如三星与sk海力士无法将hbm以成品形式供给客户，而是需要经过台积电集成。台积电之外，三星和sk海力士也在考虑增加封装生产线。
材料端：hbm多层堆叠对于制造材料尤其是前驱体的用量成倍提升，制造材料核心厂商包括雅克科技、神工股份等；对于封装材料：hbm将带动tsv和晶圆级封装需求增长，而且对封装高度、散热性能提出更高要求，封装材料核心厂商包括联瑞新材、华海诚科、飞凯材料等。
设备端：由于独特的3d堆叠结构，hbm芯片为上游设备带来了新的增量——前道环节，hbm需要通过tsv来进行垂直方向连接，增加了tsv刻蚀设备需求；中段环节，hbm带来了更多的晶圆级封装设备需求；后道环节，hbm的多芯片堆叠带来diebond设备和测试设备需求增长。
天风国际证券表示，存储芯片片巨头正在将更多产能转移至生产hbm，但由于调整产能需要时间，很难迅速增加hbm产量，所以这或许也是中国弯道超车的好时机。
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在官网产品页，美光着重强调了这款芯片对生成式ai的帮助作用——美光hbm3 gen2专为人工智能和超级计算而构建，“解锁了生成式ai的世界”可提供更高的内存容量，可提高性能并减少cpu负载，从而在大模型（例如chatgpt）进行推理时更快、更精确。
美光表示，24gb hbm3 gen2内存已经出样给客户。
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随着人工智能需求激增，两大高性能存储芯片hbm和ddr5的价格和需求都在增长，在最近一次非公开企业说明会上，sk海力士预计，2024年hbm和ddr5的销售额有望翻番。
相较而言，hbm是一种基于3d堆叠工艺的dram内存芯片，其技术门槛更高、性能提升空间更大，相应地溢价更高，其价格是现有dram产品的5-6倍。
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这一背景下，一方面，ai芯片公司正积极开拓新的hbm供应商。
从第四季度开始，三星将向英伟达供应hbm3，目前后者的hbm由sk海力士独供；另一方面，扩产hbm、开发更高性能的产品，已经成为存储巨头们的共同选择，以两大韩国厂商为例：
三星称，看到超大规模客户对hbm的高需求。计划在2024年将高带宽内存（hbm）供应能力同比翻倍。
有消息称sk海力士目标将hbm产能扩大2倍，另外，sk海力士继4月份开发出世界首款12层堆叠hbm3后又提出2026年生产hbm4。
从产业链上看，hbm市场火热也让封装、材料、设备等环节随之受益。
封装环节：由于hbm需要集成多个芯片，因此封装成为制造该产品的关键环节。譬如三星与sk海力士无法将hbm以成品形式供给客户，而是需要经过台积电集成。台积电之外，三星和sk海力士也在考虑增加封装生产线。
材料端：hbm多层堆叠对于制造材料尤其是前驱体的用量成倍提升，制造材料核心厂商包括雅克科技、神工股份等；对于封装材料：hbm将带动tsv和晶圆级封装需求增长，而且对封装高度、散热性能提出更高要求，封装材料核心厂商包括联瑞新材、华海诚科、飞凯材料等。
设备端：由于独特的3d堆叠结构，hbm芯片为上游设备带来了新的增量——前道环节，hbm需要通过tsv来进行垂直方向连接，增加了tsv刻蚀设备需求；中段环节，hbm带来了更多的晶圆级封装设备需求；后道环节，hbm的多芯片堆叠带来diebond设备和测试设备需求增长。
天风国际证券表示，存储芯片片巨头正在将更多产能转移至生产hbm，但由于调整产能需要时间，很难迅速增加hbm产量，所以这或许也是中国弯道超车的好时机。
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