最近,碳化硅行业又有几项新的技术动态,主要涉及衬底和外延:
● 盛新材料:产出中国台湾首片8吋sic衬底;
● 中山大学:生长出6吋碳化硅单晶;
● eemco:开发数据建模技术提高碳化硅晶体质量;
● resonac:第三代sic外延片开始量产;
● gaianixx:开发“中间膜”外延技术 ,可以提高同质碳化硅外延或硅基碳化硅外延的质量。
新增3家6-8吋碳化硅衬底玩家
● 盛新材料产出8吋sic
3月14日,据中国台湾媒体爆料,盛新材料已经成功产出台湾首片8吋sic衬底。
2022年7月,鸿海集团投资约1.13亿人民币收购盛新材料科技10%股权。2023年,盛新材料规划65台sic长晶炉——广运自制50台、日本设备10台、美国5台。该公司称,在所有长晶炉全数启动的假设下,期望良率达70%。
盛新材料董事长谢明凯表示,这是台湾成功试产的首炉8吋sic,由于台湾sic供应链在8吋仍未成熟,包括没有8吋的sic切晶、晶圆厂及元件等产能,所以此次是由台湾以外的伙伴完成首片8吋衬底。
根据《2022碳化硅(sic)产业调研白皮书》,目前全球已有超14家企业在8吋碳化硅衬底方面实现突破,而wolfspeed已于去年实现生产。谢明凯指出,在8吋方面,盛新材料与wolfspeed的距离只有一年之遥。
● 台湾大学开发出6吋sic单晶
3月6日,台湾导报发文称,中国台湾省国立中山大学晶体研究中心已经成功生长出6吋导电型4h碳化硅单晶。
该大学的材料与光电科学学系教授兼国际长周明奇指出,6吋导电型碳化硅单晶的中心厚度为19mm,边缘约为14mm,生长速度达到370μm/hr。而目前台湾企业的生长速度约在150-200μm/hr之间,晶体稳定性与良率仍有待提升。
周明奇强调,目前团队已投入8吋导电型碳化硅生长设备研发设计,今年将持续推进碳化硅晶体生长核心技术,也正在打造高真空环境,研发生长半绝缘碳化硅。
● eemco:利用数字建模提升sic晶体质量
3月6日,据外媒报道,奥地利的莱奥本矿业大学在开发新的建模方法,目标是帮助碳化硅企业提高单晶生长质量。
据该校负责人介绍,通过pvt法生产高质量的sic 晶体,需要能够尽可能精确地预测晶体生长过程。 虽然传统物理建模已经很先进了,然而这需要大量的数据和相应数量的实验,需要耗费大量的时间和财力。
为此,该校cd实验室希望结合基于物理和数据驱动的模型,以获得尽可能高效和可预测的碳化硅晶体生长方法,他们的合作伙伴是碳化硅衬底厂商eemcogmbh。
eemco是一家成立于2020年底的初创公司,由ebner 集团控股。该公司已经开发出4h sic单晶生长炉,正在迈向8英寸4h sic单晶制造,工厂位于奥地利莱昂丁,目前eemco 运营着 15 个研究炉,使用pvt工艺在气相中生长sic单晶。
有意思的是,eemco还与另一家台湾碳化硅初创公司有关。
今年3月初,晶赫泰ceo熊治勇在接受台湾媒体采访时表示,他曾是台湾中科院sic长晶计划的分项主持人也是实际开发者,也拿下台湾首张相关专利。随后曾出任eemco技术长,直至近半年携研发团队回台湾创立晶赫泰。
2项碳化硅外延技术进展
● 昭和电工第三代外延片量产
3 月 1 日,resonac(昭和电工改名)官网宣布,他们开发出了第三代sic外延片(hge-3g),并已经开始量产,质量优于第二代sic外延片(hge-2g)。
据悉,hge-3g在高电流密度下具有高可靠性,将为sic功率模块的普及做出贡献。
● gaianixx新技术提升外延质量
2月23日,日媒发文介绍了东京大学孵化公司 gaianixx的外延生长技术——计划使用“中间膜”技术来防止 sic 衬底缺陷转移到外延生长环节,还可以用在硅衬底上生长sic外延。
根据官网,gaianix成立于2021年11月,计划引进年产7000片中间膜的外延生产设备,2024 年左右开始量产设备。他们计划在2025年前后进入sic等功率半导体领域。gaianixx 利用独特的技术解决了“马氏体外延”的传统难题,可以实现高品质的多层单晶。
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