陶瓷电容器也称为瓷介电容器或独石电容器。顾名思义,瓷介电容器是一种材料为陶瓷的电容器。根据陶瓷材料的不同,可分为两种:低频陶瓷电容器(ⅱ类陶瓷电容器)和高频陶瓷电容器(ⅰ类陶瓷电容器)。
陶瓷电容器
什么是ⅰ类陶瓷电容器
ⅰ类陶瓷电容器原名高频陶瓷电容器,由于其以tio2为主要成分,非铁电(顺电)配方(介电常数小于150),具有最稳定的性能;或者通过添加少量其他(铁电)氧化物,如catio3或srtio3,形成“扩展型”的温度补偿陶瓷,它可以显示近似线性的温度系数,介电常数增加到500。
这两种介质具有低损耗、高绝缘电阻和良好的温度特性。特别适用于振荡器、谐振回路、高频电路中的耦合电容和其他小损耗和稳定电容量的电路中,或用于温度补偿。
ⅰ类陶瓷电容器具有以下特性:
1·线性温度系数:其电容随温度线性变化。
2·无电压依赖性:其电容量不依赖于所施加的电压。
3·无老化:由于制造过程中使用的材料是顺电位材料,因此不会经历严重的老化过程。
4·无电力损耗:与ⅱ类电容器相比,ⅰ类电容器的电损耗要低得多。
5.用于高q滤波器:鉴于上述特性,此类电容器通常用于谐振电路、pll、振荡器等应用中。
6.高稳定性和精确度:根据eia rs-1988标准,他们将使用3位数符号表示所用的电介质。
根据美国电工协会(eia)的标准,c0g或np0和cc系列等型号的陶瓷介质(温度系数0±30ppm/℃)这种介质非常稳定,温度系数非常低,没有老化现象。损耗因数不受电压、频率、温度和时间的影响。介电系数可达400,介电强度相对较高。该介质非常适用于高频(尤其是工业高频感应加热的高频功率振荡、高频无线传输和高频功率电容器的其他应用)、超高频以及对电容和稳定性要求严格的定时和振荡电路的工作环境。这种介电容器的唯一缺点是电容不能很大(由于介电系数相对较小)。通常,1206表面贴装的c0g介质电容器的电容范围为0.5pf至0.01μf。
什么是ⅱ类陶瓷电容器
ⅱ类陶瓷电容器过去称为低频陶瓷电容器,是指以铁电陶瓷为介质的电容器,因此也称为铁电陶瓷电容器。其电容量随温度非线性变化,并且其损耗较大。它通常用于电子设备中的旁路、耦合或其他对损耗和电容稳定性要求较低的电路。ⅱ类陶瓷电容器分为稳定级和可用级。x5r和x7r属于ⅱ类陶瓷的稳定级,而y5v和z5u属于可用级。
ⅱ类稳定级陶瓷介质材料,如美国电工协会(eia)标准的x7r和x5r以及中国标准的ct系列(温度系数为±15.0%),这种介质的介电系数随温度变化较大,不适用于定时和振荡等温度系数要求较高的场合,但由于它们的介电系数可以很大(高达1200),因而电容量可以做得比较大,适用于对工作环境温度(x7r:-55~+125℃)要求较高的耦合、旁路和滤波。通常,1206 smd封装的电容量可以达到10μf或更高;
ⅱ类可用级陶瓷介电材料,如美国电工协会(eia)标准的z5u和y5v以及中国标准ct系列的低等级产品型号(温度系数为z5u的+22%,-56%和y5v的+22%,-82%)。这种介质的介电系数随温度变化很大,不适用于定时和振荡等对温度系数要求较高的场合,但由于其介电系数较大(高达1000~12000),因此,电容量可以做的比较大,这适用于耦合,旁通和过滤一般工作环境温度要求(-25~+85℃)。通常,1206表面安装的z5u和y5v介质电容器甚至可以达到100μf。在某种意义上,它是取代钽电解电容器的有力竞争者。
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