Vishay发布高性能非对称双片TrenchFET® MOSFET
宾夕法尼亚、malvern ， 2014 年 2 月7 日 — 日前，vishay intertechnology， inc.（nyse 股市代号：vsh）宣布，发布采用powerpair® 3mm x 3mm封装，使用trenchfet® gen iv技术的新款30v非对称双片trenchfet 功率mosfet---siz340dt。vishay siliconix siz340dt把高边和低边mosfet组合在一个小尺寸封装里，导通电阻比前一代同样封装尺寸的器件低57%，功率密度高25%，效率高5%，可节省空间，并简化高效同步降压转换器的设计。
siz340dt的trenchfet gen iv技术使用了非常高密度的设计，能够降低导通电阻，而不会大幅增加栅极电荷，从而使传导损耗最小，并减少在更高功率输出情况下的总功率损耗。因此，siz340dt的低边通道2的mosfet在10v和4.5v栅极驱动下的导通电阻只有5.1mω和7.0mω。高边通道1的mosfet在10v和4.5v下的导通电阻为9.5mω和13.7mω。
今天发布的器件适用于“云计算”基础设施、服务器、电信设备和各种客户端电子设备，以及移动计算中的同步降压。预计用到这款器件的dc/dc模块包括服务器、计算机、笔记本电脑、图形卡、游戏机、存储阵列、电信设备、dc/dc砖式电源和pol中的系统辅助电源。siz340dt还可以用在给fpga供电的dc/dc转换电路中。
在这些应用中，器件可以把通道1的mosfet的栅极电荷保持在5.6nc，通道2的mosfet的栅极电荷保持在10.1nc。这样，就可以得到较低的导通电阻与栅极电荷乘积，进而降低传导和开关损耗，提高系统的总体效率。导通电阻与栅极电荷乘积是dc/dc转换器中mosfet的优值系数（fom）。凭借更高的转换效率，siz340dt在相同输出负载下的发热比前一代器件低30%，或是在发热相同的情况下提高功率密度。
对于10a～15a输出电流和输出电压低于2v的典型dc/dc拓扑，siz340dt的3mm x 3mm小占位面积比使用分立器件的方案最多可节省77%的pcb空间，比如高边使用powerpak® 1212-8 mosfet，低边使用powerpak so-8 mosfet的方案。由于降低了开关损耗，器件的开关频率可以超过450khz，允许使用更小的电感器和电容器，在不牺牲性能的前提下达到缩小pcb尺寸的目的。另外，这款mosfet的性能优于多片并排使用的前一代器件，有可能减少元器件总数，并简化设计。
siz340dt进行了100%的rg和uis测试，符合jedec js709a的无卤素规定和rohs指令2011/65/eu。
器件规格表：
siz340dt现可提供样品，在2013年4季度实现量产，大宗订货的供货周期为十四周到十六周。
vishay简介
vishay intertechnology， inc. 是在纽约证券交易所上市（vsh）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、mosfet和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使vishay成为了全球业界领先者。
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