英特尔宣布完成PowerVia背面供电技术的开发
英特尔在2023年国际电子设备制造大会上宣布，他们已经成功完成了一项名为powervia的背面供电技术的开发。这个技术是基于英特尔的最新晶体管研究成果，它实现了互补金属氧化物半导体场效应晶体管（cfet）的60纳米栅极间距垂直堆叠。通过堆叠晶体管，该技术提高了面积效率和性能，同时还结合了背面供电和直接背面接触这两种技术。
英特尔解释说，过去几年芯片制造都是层层叠加的，从最小的元件-晶体管开始制造，之后需要创建更小的线路层，用于连接晶体管和金属层。这些线路被称为信号互连线，其中还包括用于给晶体管供电的电源线等。但是随着晶体管逐渐变小、密度日益提高，互连线和电源线共享的线路层变得越来越混乱。面对这个问题，英特尔开始寻找将电源线迁移到芯片背面的背面供电技术。
英特尔的背面供电解决方案powervia已经产生了具有竞争力的测试结果。这项技术解决了传统披萨式制造方法带来的问题，尤其是电源线和互连线的分离以及线径的扩大，从而改进了供电和信号的传输。
对于英特尔的晶体管堆叠和背面供电的技术，研究表明，它将在微缩晶体管的密度上发挥重要作用。英特尔强调，这将超越其四年五个制程节点计划，以背面供电技术继续微缩晶体管。
目前，英特尔的这项技术在竞争对手中具有一定的优势。比如台积电将在2025年量产的第一代2纳米制程时引入全环绕栅极（gaa）架构，然后在2026年的第二代2纳米制程中引入背面供电技术。与此同时，尽管韩国三星在2022年量产的3纳米制程技术上已经引入了gaa架构，但是他们预计要到2025年量产的2纳米制程才会引入背面供电技术。从这个角度来看，英特尔确实领先了一步。
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