ST的650V IGBT可大幅提升20kHz功率转换应用的能效
意法半导体（stmicroelectronics）推出新款m系列650v igbt，为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案
意法半导体（stmicroelectronics，简称st；纽约证券交易所代码：stm）推出新款m系列650v igbt，为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案，适用于暖通空调系统（hvac）电机驱动、不间断电源、太阳能转换器以及所有的硬开关（hard-switching）电路拓扑20khz功率转换应用。 采用意法半导体的第三代沟栅式场截止型（trench-gate field-stop）低损耗制造工艺，m系列igbt有一个全新沟栅（trench gate）和特殊设计的p-n-p垂直结构，可以在导通损耗和开关损耗之间找到了最佳平衡点，从而能够大幅提升晶体管的整体性能。在150°c初始高结温时，最小短路耐受时间为6?s，175°c最大工作结温及宽安全工作范围有助于延长元器件的使用寿命，同时提高对功率耗散有极高要求的应用可靠性。
此外，新产品的封装还集成了新一代续流二极管（free-wheeling diode）。新二极管提供快速恢复功能，并同时保持低正向压降和高恢复软度。这项设计不仅可实现优异的emi保护功能，同时可以有效降低开关损耗。正vce(sat)温度系数，结合紧密的参数分布，使新产品能够安全并联，并满足更大功率的要求。
m系列产品的主要特性：
650v igbt，大部分竞争产品为600v；
低vce(sat) (1.55v @25°c) 电压，能够最大限度降低导通损耗；
出色的稳健性，拥有广泛的安全工作范围以及无闩锁现象（latch-free operation）；
业内最佳的etot - vce(sat) 平衡比；
175°c最大工作结温；
高温短路耐受时间最短6?s；
电压过冲有限，确保关断期间无振荡；
最新发布的m系列拥有10a及30a两种可选额定电流，提供各种功率封装选择，包括to-220、d2pak和to-247 ll长脚封装，与意法半导体针对高频工业应用研发的hb系列650v igbt（高达60 khz）相互补充。新产品已开始量产。
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此外，新产品的封装还集成了新一代续流二极管（free-wheeling diode）。新二极管提供快速恢复功能，并同时保持低正向压降和高恢复软度。这项设计不仅可实现优异的emi保护功能，同时可以有效降低开关损耗。正vce(sat)温度系数，结合紧密的参数分布，使新产品能够安全并联，并满足更大功率的要求。
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