移动内存需求剧增 3D IC步向成熟
由于技术上仍存在挑战，使得3d ic一直都成为半导体业界想发展，却迟迟到不了的禁区。尽管如此，国际半导体材料协会semi仍乐观认为，系统化的半导体技术仍将是主流趋势，这意味着 3d ic的发展将不会停下脚步。但在3d ic技术仍未成熟的现阶段，2.5d ic是最好的替代方案。
semi认为，目前2.5d ic从设计工具、制造、封装测试等方案都已准备就绪，目前将致力于将量产流程标准化，让2.5d ic在2014年能正式进行量产。至于3d ic，到2016年将有较大幅度的成长空间。
事实上，2.5d ic等于是3d ic在诸多制程与整合问题难以客克服的情况下，半导体业者退而求其次的方案，因此也被某种程度上也被定义为相对过渡的技术，业界仍以实现3d ic为最重要目标。要实现3d ic，就必须利用tsv（硅穿孔）技术，来让芯片互连，完成芯片的异质性堆栈。
然而现阶段tsv针对裸晶如何有效散热并让芯片运作等问题，仍存在挑战。2.5d ic则是让裸晶间采平行排列方式，在中介层进行链接，缩短讯号的延迟时间并提升系统的整体效能。
业界认为，目前2.5d及3d ic制程方案已逐渐成熟，产业面临的最大挑战仍在量产能力的有效提升。包括台积电、日月光、意法、三星、尔必达、美光、global foundries、ibm、intel等半导体大厂都已投入3d ic的研发与生产。
semi 表示，3d ic的主要技术趋势就是多芯片封装，也就是将更多晶体管封装在3d ic中，可加速内存与处理器间的沟通。也正由于多芯片封装技术需求增加，使得3d ic市场倍受瞩目。多芯片封装技术将两种以上内存芯片透过整合与堆栈设计，封装在同一个bga封装中，比起两个薄型tsop封装，还节省70%空间。
technavio分析预测，今年起至2016年，全球3d ic市场的年复合成长率为19.7%，主要来自移动装置的内存需求增加。3d ic可改善内存的性能与稳定度，并减低成本与缩小尺寸。
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