台积电证实3nm制程工艺正在稳步推进
传《绝地求生2》移动版预计最早下周上线
据报道，新传闻称《绝地求生2》（pubg mobile 2）最早可能在下周推出，面向android和ios用户。游戏将以2051年的pubg宇宙为背景，以 未来主义 美学为特色。它还将配备新地图和新的游戏元素，如可部署的掩体和无人机。
关于krafton正在开发《绝地求生2》续作和其他以pubg宇宙为背景的游戏的报道已经有一段时间了。现在根据playerign一条已删除的推文显示，《pubg mobile 2》的推出时间最早可能在下周。
如前所述，《绝地求生2》将以pubg宇宙未来迭代为背景（具体为2051年）。它将获得新地图、未来主义风格 等。
《绝地求生2》将在google play store和苹果app store上推出，改进之处在于提供无人机和可部署的掩体，这应该会给大逃杀游戏有些老旧的机制增加一个全新的维度。
《绝地求生2》有可能不会在全球范围内推出。它的开发商krafton很可能会在下周宣布，并且征集玩家进行测试，然后在最初曝光后的几周甚至几个月后推出正式版。
台积电证实3nm制程工艺正在稳步推进 明年正式试产
据报道，台积电董事长刘德音（dr. mark liu）证实，该公司的下一代 3nm 芯片制造节点，正在按计划推进之中。作为全球知名的芯片代工制造商，台积电当前正在建设 3nm 生产线，且有望明年转入试生产。与 5nm 制程节点相比，3nm 可提供几乎翻番的逻辑密度，辅以 11% 的性能提升、或 27% 的能效改进。
台积电高管在早前的国际固态电路会议（isscc）演讲期间的这番表态，证实了该公司对下一代制造技术的信心。在满足当前和未来产品的日益增长需求的同时，即便汽车领域的产品需求有所提升，也不会对整体产能造成太大影响。
需要指出的是，部分媒体误解了所谓的“3nm 工艺提前”。毕竟在主题为《释放创新未来》的 27 分钟演讲期间，高管并未直言此事，仅在开头和结尾对 3nm 开发进度“顺口一提”。
为提升逻辑密度，需要对相关技术展开协同优化，同时也增加了一定的成本。
除了透露 3nm 技术的发展正在如期推进且相当顺利，刘德音还提供了对 3nm 工艺的最新数据、以及对工艺发展的看法。
他指出，到目前为止，台积电已出货约 18 亿片基于 7nm 工艺节点的芯片。截止 2020 年，该公司一直是行业中的领跑者。得益于极紫外光刻（euv）技术，台积电能够实现更高的保真度、缩短周期、并降低工艺的复杂性和缺陷率。
值得一提的是，台积电在 5nm 节点的十层掩模工艺中使用了 euv 技术（具体包括线切割、接触、金属线图案），并用单层 euv 取代了早期的多层深紫外（duv）工艺。
随后刘德音强调了设计技术的协同优化（dtc），以及该方案在过去几年中对芯片制造的重要性。对于芯片制造商来说，这使得他们能够同时使用设计和制造技术来满足性能要求。
此外 dtco 使得台积电在衡量节点的逻辑密度时超越了固有的缩放指标，比如接触栅间距和最小金属间距。结合有源区上的栅极接触、单扩散中断、鳍片减少等特性，还可为 3nm 工艺节点带来 1.8 倍于 5nm 的逻辑密度。
最后，刘德音披露了公司的未来计划，包括开发 sub-3d 材料和晶圆级单晶六方氮化硼。两者的特点是能够在较低的制造温度下，转移至任意衬底上，从而为在三个维度上制造有源逻辑层和存储层开辟了新的道路。
此外台积电对于低维材料的研究，包包括一维的碳纳米管。借助这一晶体通道的关键，是开发出一种栅极长度较短的晶体管介电材料。
当然，为了达成如此远大的目标，台积电还需要与芯片行业的所有同行紧密合作，以确保 3nm 工艺能够发展到 2 倍于当前的性能。
考虑到该公司正在量产的 5nm 顺应了这一趋势，即将面世的 3nm 节点也有望遵循这一时间安排。
丰田汽车四家本土工厂因受地震影响而停产
据报道，外媒消息称，当地时间2月23日，丰田汽车官网发文称，由于地震影响导致零部件供应不足，宣布位于日本本土四家工厂共计5条生产线停止生产。这四家工厂主要生产丰田harrier、普锐斯α、rav4、雷克萨斯lc70、lc200/lx等车型。至于何时重启，丰田方面并未透露。
2月13日23时，日本福岛东部海域发生7.3级强震，震源深度55公里，后续接连发生5级以上地震。这次强震，给日本汽车及半导体行业带来了较大的冲击。
受此影响，丰田于2月16日宣布在日本本土15家整车工厂共计28条生产线停产，2月19日丰田宣布本土8家工厂共计12条生产线停产，2月22日丰田再宣布本土8家整车工厂共计12条生产线停产。
加上本次停工影响，这波停工估计将会减产30000辆汽车。
值得一提的是，除了日立旗下的零部件工厂受到影响外，全球车载芯片市场份额排名第三位的日本瑞萨电子，在与福岛县相邻的茨城县境内有一家主力工厂，受地震影响一度停电。
该工厂已于2月16日重启，但是要恢复至地震前的产能需要一周时间。此前，瑞萨电子将部分车载芯片订单转移到这家国产，此次地震使得原本面临芯片危机的日本车企雪上加霜。
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台积电证实3nm制程工艺正在稳步推进
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晶圆键合机中的无油真空系统
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据报道，台积电董事长刘德音（dr. mark liu）证实，该公司的下一代 3nm 芯片制造节点，正在按计划推进之中。作为全球知名的芯片代工制造商，台积电当前正在建设 3nm 生产线，且有望明年转入试生产。与 5nm 制程节点相比，3nm 可提供几乎翻番的逻辑密度，辅以 11% 的性能提升、或 27% 的能效改进。
台积电高管在早前的国际固态电路会议（isscc）演讲期间的这番表态，证实了该公司对下一代制造技术的信心。在满足当前和未来产品的日益增长需求的同时，即便汽车领域的产品需求有所提升，也不会对整体产能造成太大影响。
需要指出的是，部分媒体误解了所谓的“3nm 工艺提前”。毕竟在主题为《释放创新未来》的 27 分钟演讲期间，高管并未直言此事，仅在开头和结尾对 3nm 开发进度“顺口一提”。
为提升逻辑密度，需要对相关技术展开协同优化，同时也增加了一定的成本。
除了透露 3nm 技术的发展正在如期推进且相当顺利，刘德音还提供了对 3nm 工艺的最新数据、以及对工艺发展的看法。
他指出，到目前为止，台积电已出货约 18 亿片基于 7nm 工艺节点的芯片。截止 2020 年，该公司一直是行业中的领跑者。得益于极紫外光刻（euv）技术，台积电能够实现更高的保真度、缩短周期、并降低工艺的复杂性和缺陷率。
值得一提的是，台积电在 5nm 节点的十层掩模工艺中使用了 euv 技术（具体包括线切割、接触、金属线图案），并用单层 euv 取代了早期的多层深紫外（duv）工艺。
随后刘德音强调了设计技术的协同优化（dtc），以及该方案在过去几年中对芯片制造的重要性。对于芯片制造商来说，这使得他们能够同时使用设计和制造技术来满足性能要求。
此外 dtco 使得台积电在衡量节点的逻辑密度时超越了固有的缩放指标，比如接触栅间距和最小金属间距。结合有源区上的栅极接触、单扩散中断、鳍片减少等特性，还可为 3nm 工艺节点带来 1.8 倍于 5nm 的逻辑密度。
最后，刘德音披露了公司的未来计划，包括开发 sub-3d 材料和晶圆级单晶六方氮化硼。两者的特点是能够在较低的制造温度下，转移至任意衬底上，从而为在三个维度上制造有源逻辑层和存储层开辟了新的道路。
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该工厂已于2月16日重启，但是要恢复至地震前的产能需要一周时间。此前，瑞萨电子将部分车载芯片订单转移到这家国产，此次地震使得原本面临芯片危机的日本车企雪上加霜。
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