一文详解硅通孔技术(TSV)
硅通孔技术（tsv，through silicon via）是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的技术，是2.5d/3d 封装的关键工艺之一。通过垂直互连减小互连长度、信号延迟，降低电容、电感，实现芯片间低功耗、高速通讯，增加带宽和实现小型化。
依据tsv 通孔生成的阶段 tsv 工艺可以分为：1）via-first；2）via-middle；3）via-last。
tsv 工艺包括深硅刻蚀形成微孔，再进行绝缘层、阻挡层、种子层的沉积，深孔填充，退火，cmp 减薄，pad 的制备叠加等工艺技术。
1）孔成型：孔成型的方式有激光打孔、干法刻蚀、湿法刻蚀等。基于深硅刻蚀（deep reactive ion etching，drie）的 bosch工艺是目前应用最广泛工艺。反应离子刻蚀（reactive ion etching，rie）工艺是采用物理轰击和化学反应双重作用的刻蚀，bosch 工艺通过刻蚀和保护交替进行来提高 tsv 的各向异性，保证 tsv 通孔垂直度。
2）沉积绝缘层：tsv 孔内绝缘层用于实现硅村底与孔内传输通道的绝缘，防止 tsv通孔之间漏电和串扰。tsv 孔壁绝缘介质材料选用无机介质材料，包括pecvd、sacvd、ald 和热氧化法。
3）沉积阻挡层/种子层：在2.5d tsv 中介层工艺中，一般使用铜作为 tsv 通孔内部金属互联材料。在电镀铜填充 tsv 通孔前，需在 tsv 孔内制备电镀阻挡/种子层，一般选用 ti、ta、tin、tan 等材料。tsv 电镀种子层起着与电镀电极电连接并实现 tsv 孔填充的作用。
4）电镀填充工艺：tsv 深孔的填充技术是 3d 集成的关键技术，直接关系到后续器件的电学性能和可靠性。可以填充的材料包括铜、钨、多晶硅等。
5）cmp（化学机械抛光）工艺和背面露头工艺：cmp 技术用于去除硅表面的二氧化硅介质层、阻挡层和种子层。tsv 背面露头技术也是 2.5dtsv 转接基板的关键工艺，包括晶圆减薄、干/湿法刻蚀工艺。
6）晶圆减薄：晶圆表面平坦化后，还需要进行晶圆背面的减薄使 tsv 露出，传统的晶圆减薄技术包括机械磨削、cmp 和湿法腐蚀等。目前业界主流的解决方案是将晶圆的磨削、抛光、保护膜去除和划片膜粘贴等工序集合在一台设备内。
思科“软硬件一体化”新进展 收购Intucell
智能家电与房地产进行结合能否打开新的市场突破口
安立首发基于无线通信测试仪MT8820C的LTE-A信令测试软件
LG PJ9智能悬浮音响：悬浮在空中的麦克风
电竞赋能LED显示屏另一种生命力
一文详解硅通孔技术(TSV)
国内海上风电升压站迎来首个智能轮式巡检机器人
赛盛技术参加2023中国电磁兼容及电磁环境效应技术及产业创新大会
荣耀V9评测：2K屏+6G运行内存要价3499元的华为荣耀V9到底值不值？
Bing将完全禁止任何与加密货币有关的内容
CIPS覆盖全球160多个国家和地区跨境人民币支付清算系统指日可待
EtherCAT和Ethernet的不同点有哪些, 通信周期又是什么意思?
大神告诉你：控制系统接地设置中应该注意的问题
苹果又获得一项屏下指纹技术专利！
压力传感器：可有效解决误触和湿手触控不灵的问题
《Fate/GO》日服将推出AR版
抗干扰电路与幅度分离电路
芯片这个事情，未来会成为我们中国做汽车的软肋
安立宣布2G到4G/LTE/MIMO 的OTA测试解决方案
抑制电磁干扰（EMI）的实用电路技术
依据tsv 通孔生成的阶段 tsv 工艺可以分为：1）via-first；2）via-middle；3）via-last。
tsv 工艺包括深硅刻蚀形成微孔，再进行绝缘层、阻挡层、种子层的沉积，深孔填充，退火，cmp 减薄，pad 的制备叠加等工艺技术。
1）孔成型：孔成型的方式有激光打孔、干法刻蚀、湿法刻蚀等。基于深硅刻蚀（deep reactive ion etching，drie）的 bosch工艺是目前应用最广泛工艺。反应离子刻蚀（reactive ion etching，rie）工艺是采用物理轰击和化学反应双重作用的刻蚀，bosch 工艺通过刻蚀和保护交替进行来提高 tsv 的各向异性，保证 tsv 通孔垂直度。
2）沉积绝缘层：tsv 孔内绝缘层用于实现硅村底与孔内传输通道的绝缘，防止 tsv通孔之间漏电和串扰。tsv 孔壁绝缘介质材料选用无机介质材料，包括pecvd、sacvd、ald 和热氧化法。
3）沉积阻挡层/种子层：在2.5d tsv 中介层工艺中，一般使用铜作为 tsv 通孔内部金属互联材料。在电镀铜填充 tsv 通孔前，需在 tsv 孔内制备电镀阻挡/种子层，一般选用 ti、ta、tin、tan 等材料。tsv 电镀种子层起着与电镀电极电连接并实现 tsv 孔填充的作用。
4）电镀填充工艺：tsv 深孔的填充技术是 3d 集成的关键技术，直接关系到后续器件的电学性能和可靠性。可以填充的材料包括铜、钨、多晶硅等。
5）cmp（化学机械抛光）工艺和背面露头工艺：cmp 技术用于去除硅表面的二氧化硅介质层、阻挡层和种子层。tsv 背面露头技术也是 2.5dtsv 转接基板的关键工艺，包括晶圆减薄、干/湿法刻蚀工艺。
6）晶圆减薄：晶圆表面平坦化后，还需要进行晶圆背面的减薄使 tsv 露出，传统的晶圆减薄技术包括机械磨削、cmp 和湿法腐蚀等。目前业界主流的解决方案是将晶圆的磨削、抛光、保护膜去除和划片膜粘贴等工序集合在一台设备内。
思科“软硬件一体化”新进展 收购Intucell
智能家电与房地产进行结合能否打开新的市场突破口
安立首发基于无线通信测试仪MT8820C的LTE-A信令测试软件
LG PJ9智能悬浮音响：悬浮在空中的麦克风
电竞赋能LED显示屏另一种生命力
一文详解硅通孔技术(TSV)
国内海上风电升压站迎来首个智能轮式巡检机器人
赛盛技术参加2023中国电磁兼容及电磁环境效应技术及产业创新大会
荣耀V9评测：2K屏+6G运行内存要价3499元的华为荣耀V9到底值不值？
Bing将完全禁止任何与加密货币有关的内容
CIPS覆盖全球160多个国家和地区跨境人民币支付清算系统指日可待
EtherCAT和Ethernet的不同点有哪些, 通信周期又是什么意思?
大神告诉你：控制系统接地设置中应该注意的问题
苹果又获得一项屏下指纹技术专利！
压力传感器：可有效解决误触和湿手触控不灵的问题
《Fate/GO》日服将推出AR版
抗干扰电路与幅度分离电路
芯片这个事情，未来会成为我们中国做汽车的软肋
安立宣布2G到4G/LTE/MIMO 的OTA测试解决方案
抑制电磁干扰（EMI）的实用电路技术