新款旗舰手机中的存储器技术解析
近期国内大厂旗舰新机横空出世，在业界和市场造成极大轰动。经研调机构专业拆解发现，其主控芯片及大部分芯片都是国产，仅lpddr5闪存和nand flash内存来自于sk海力士。 从丝印上可以看出分别为：h58gg6mk6gx037 和 hn8t25dehkx077（由于屏蔽罩遮挡，按照海力士命名规则第一个字母应该是h）。 在海力士的官网查得两个型号信息为：
由上得知h58gg6mk6gx037为一颗12gb lpddr5 的闪存，但官网产品状态为cs而非mp。
2019年2月，jedec正式发布lpddr5全新低功耗内存标准，即low power double data rate 5。相较于lpddr4标准，lpddr5的i/o速度从3200mt/s提升到6400mt/s，速度直接翻番。如果匹配高端智能机常见的64bit bus，每秒可以传送51.2gb数据；如果匹配pc的128bit bus，每秒可突破100gb数据。
而从海力士的规格书上看h58gg6mk6gx037这颗料量产时间应该是在2021年。
hn8t25dehkx077为一颗3.1版本的512gb ufs ，状态也为cs。
2020年1月30日jedec发布了ufs 3.1标准，相比于之前的版本，ufs 3.1更新了三个部分。包括“ write booster”——slc非易失性缓存，可提高写入速度。“deepsleep”——增加了一种新的低功耗状态，降低ufs的工作压力和减少对稳压器的唤醒来达到降低功耗的目的，延长设备的电池续航时间。以及“performance throttling notifications（性能节流通知）”——当高温导致存储性能下降时，ufs设备可以通知主机，主机性能增强器功能是可选的。
由此可以看出hn8t25dehkx077最快量产时间也应该是在2021年下半年。
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