新品 | 1200V低阻值CoolSiC™ MOSFET产品
新品
coolsic 1200v sic
mosfet低欧姆产品
coolsic 1200v sic mosfet低欧姆产品，采用to247封装，建立在最先进的沟槽栅半导体工艺上。经过优化，性能和可靠性均有进一步提高。封装采用 .xt互连技术，最新的coolsic mosfet具有一流的热耗散性能。
产品规格：1200v,7mω、14mω和20 mω to247封装
coolsic 1200v sic mosfet低欧姆产品（7mω、14mω和20mω），采用to247-3/to247-4封装，建立在最先进的沟槽栅半导体工艺上。经过优化，性能和可靠性均有进一步提高。封装采用.xt互连技术，最新的coolsic mosfet具有一流的热耗散性能。
coolsic mosfet是硬开关和谐振开关拓扑结构的理想选择，如功率因素校正（pfc）电路、双向拓扑结构和dc-dc转换器或dc-ac逆变器。
产品特点
to247封装中最大规格，最低的rds(on) 7mω
.xt互连技术实现了同类最佳的热性能
最大栅极源极电压低至-10v
灵活的关断栅极电压选择-5v~0v
雪崩能力
短路能力
应用价值
单个器件的功率密度高
7mω单个器件的系统输出功率可做到30千瓦
散热能力提高15%
宽关断栅极电压选择，易于设计和应用
增强稳健性和可靠性
市场优势
经过验证并增强了封装的坚固性，具有很高的可靠性
完整的内部生产前端和后端，确保供应安全性
最新的开关和栅极驱动器技术实现了最佳性能
易于设计，加快了上市时间
应用领域
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coolsic 1200v sic mosfet低欧姆产品（7mω、14mω和20mω），采用to247-3/to247-4封装，建立在最先进的沟槽栅半导体工艺上。经过优化，性能和可靠性均有进一步提高。封装采用.xt互连技术，最新的coolsic mosfet具有一流的热耗散性能。
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