P沟MOSFET,P沟MOSFET是什么意思
p沟mosfet,p沟mosfet是什么意思
mosfet是metal-oxide-silicon field effect transistor的英文缩写，平面型器件结构，按照导电沟道的不同可以分为nmos和pmos器件。mos器件基于表面感应的原理，是利用垂直的栅压vgs实现对水平ids的控制。它是多子（多数载流子）器件。用跨导描述其放大能力。
它分n沟道管和p沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极s接在一起。
mosfet共有三个脚，一般为g、d、s，通过g、s间加控制信号时可以改变d、s间的导通和截止。pmos和nmos在结构上完全相像，所不同的是衬底和源漏的掺杂类型。简单地说，nmos是在p型硅的衬底上，通过选择掺杂形成n型的掺杂区，作为nmos的源漏区；pmos是在n型硅的衬底上，通过选择掺杂形成p型的掺杂区，作为pmos的源漏区。两块源漏掺杂区之间的距离称为沟道长度l，而垂直于沟道长度的有效源漏区尺寸称为沟道宽度w。对于这种简单的结构，器件源漏是完全对称的，只有在应用中根据源漏电流的流向才能最后确认具体的源和漏。
pmos的工作原理与nmos相类似。因为pmos是n型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是p型，所以，pmos的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在pmos的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于pmos栅上的负电荷的数量。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的p型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，vgs越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。
与nmos一样，导通的pmos的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论nmos还是pmos，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是
vgsvtp (pmos)，
值得注意的是，pmos的vgs和vtp都是负值。
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与nmos一样，导通的pmos的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论nmos还是pmos，当未形成反型沟道时，都处于截止区，其电压条件是
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值得注意的是，pmos的vgs和vtp都是负值。
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