时序签核方法学及实战经验
在新工艺下对新产品进行静态时序分析时，我们首先需要考虑的是signoff的scenarios（或者views）组合，每一个scenario由以下三部分组成：
（1）operating mode，即工作模式
（2）pvt corner
（3）parasitics corner
其中的operating mode，可以分为function mode和test mode。对于大型的soc芯片工作模式多种多样，特别是牵涉到不同子系统工作电压可变，甚至同一子系统不同功能模块的工作电压可变，排列组合出来的function modes数量可以达上百个，这部分与设计是强相关的。而test modes与dft是强相关的，比较常见的有scan capture mode，scan shift mode，bist mode，以及jtag mode等等。
pvt corners
顾名思义，pvt分别标明了工艺角快慢，电压高低，温度高低，一般是对有源器件而言，比如标准单元和ip等。同一档电压下，一般地可以分为以下几种pvt corner：
（1）typical，例如：typical_0p8v_25c，其特点有：
typical processnominal power voltagenominal temperature (25c或者85c)该corner一般用于评估功耗，有些公司习惯可以选择25c，有些习惯选择85c，标准一致就行。按照统计数据，85c的leakage大约是25c的8倍左右，即温度每升高20度，leakage翻一倍。
（2）wcs，也称wc，例如：ssgnp_0p72v_125c，其特点有：
slow processlow power voltage （90% * nominal power voltage）high temperature因为先进工艺下温度对管子特性的影响不是线性的，所以按照温度的高低，又有wcl（表示low temperate，例如ssgnp_0p72v_m40c）和wcz（表示zero temperature，例如ssgnp_0p72v_0c）两个。
（3）bcf，也称bc，例如：ffgnp_0p88v_m40c，其特点有：
fast processhigh power voltage （110% * normal power voltage）low temperature（4）ml，即max leakage，例如：ffgnp_0p88v_125c，期特点有：
fast processhigh power voltagehigh temperatureparasitic corners
除了有源器件部分，无源的互联绕线也会有不同的工艺角，这里主要从寄生电容c和寄生电阻r来分类，寄生电感l的建模在特殊工艺或者更先进的3nm/2nm工艺可能会更多地考虑。
（1）ctypical
特点：电容和电阻不偏大也不偏小，居中状态
（2）cworst （或max c）
特点：由于绕线在制造过程中发生宽度偏大/间距变小，导致电容偏大，相应地电阻偏小的状态，对于较短的绕线，总体的rc乘积是偏大的，造成绕线延迟偏大
（3）cbest （或min c）
特点，与cworst相反，电容偏小，电阻偏大，rc偏小的状态，较短的绕线延迟偏小
（4）rcworst （或max rc）
特点：对于较长的绕线，rc值有可能是由电阻r主导，假如在制造过程中宽度偏小，造成电阻偏大，电容偏小，然而总体的rc乘积是偏大的，较长的绕线延迟偏大
（5）rcbest （或min rc）
特点：与rcworst相反，电阻小，电容偏大，rc偏小的状态，较长的绕线延迟偏小
在先进工艺下，引入了double pattern(dpt)之后，对于寄生参数提取又加入了新的需要考量的因素，即同一层金属两个mask之间的间距偏差。因此有了下图的几个新的parasitic corners：
（1）ctypical_ccworst
（2）ctypical_ccbest
（3）cworst_ccworst
（4）rcworst_ccworst
（5）cbest_ccbest
（6）rcbest_ccbest
特点 ：在引入dpt之前的corner的基础上加入ccworst或者ccbest，ccworst表示dpt的两个mask间距更小，往总体电容变大的方向偏，而ccbest表示dpt的两个mask间距更大的，往总体电容变小的方向偏。另外，寄生参数的提取也和温度有关，往往和pvt corner的温度对应。不过，实际制造过程中也会发生不同层的金属处在不同corner的情况，在这部分没有办法cover，只能通过net derate，或者clock uncertainty去cover了。
在实际项目中，需要注意的是：
（1）布局布线过程中选用的corner要充分覆盖到signoff corner，因为有些design中的长线较多，有些design中短线较多 ，在选择cworst/cbest还是rcworst/rcbest时要综合考虑，如果runtime能够承受，可以同时都加上。
（2）由于工艺的需要，芯片的绕线空白区域往往不可避免地需要加一些metal fill，而这些metal fill往往对寄生参数提取的结果会造成影响，特别是对于绕线密度比较低的区域。因此建议在尽早带上metal fill去跑寄生参数提取。
（3）大家可能会想到，在hard ip中既有有源器件stdcell，也有无源的绕线，在vendor提供ip的时候一般会有各个scenario的.lib，包括不同pvt和parasitic corner的组合，在使用的时候需要一一对应，避免混用。
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pvt corners
顾名思义，pvt分别标明了工艺角快慢，电压高低，温度高低，一般是对有源器件而言，比如标准单元和ip等。同一档电压下，一般地可以分为以下几种pvt corner：
（1）typical，例如：typical_0p8v_25c，其特点有：
typical processnominal power voltagenominal temperature (25c或者85c)该corner一般用于评估功耗，有些公司习惯可以选择25c，有些习惯选择85c，标准一致就行。按照统计数据，85c的leakage大约是25c的8倍左右，即温度每升高20度，leakage翻一倍。
（2）wcs，也称wc，例如：ssgnp_0p72v_125c，其特点有：
slow processlow power voltage （90% * nominal power voltage）high temperature因为先进工艺下温度对管子特性的影响不是线性的，所以按照温度的高低，又有wcl（表示low temperate，例如ssgnp_0p72v_m40c）和wcz（表示zero temperature，例如ssgnp_0p72v_0c）两个。
（3）bcf，也称bc，例如：ffgnp_0p88v_m40c，其特点有：
fast processhigh power voltage （110% * normal power voltage）low temperature（4）ml，即max leakage，例如：ffgnp_0p88v_125c，期特点有：
fast processhigh power voltagehigh temperatureparasitic corners
除了有源器件部分，无源的互联绕线也会有不同的工艺角，这里主要从寄生电容c和寄生电阻r来分类，寄生电感l的建模在特殊工艺或者更先进的3nm/2nm工艺可能会更多地考虑。
（1）ctypical
特点：电容和电阻不偏大也不偏小，居中状态
（2）cworst （或max c）
特点：由于绕线在制造过程中发生宽度偏大/间距变小，导致电容偏大，相应地电阻偏小的状态，对于较短的绕线，总体的rc乘积是偏大的，造成绕线延迟偏大
（3）cbest （或min c）
特点，与cworst相反，电容偏小，电阻偏大，rc偏小的状态，较短的绕线延迟偏小
（4）rcworst （或max rc）
特点：对于较长的绕线，rc值有可能是由电阻r主导，假如在制造过程中宽度偏小，造成电阻偏大，电容偏小，然而总体的rc乘积是偏大的，较长的绕线延迟偏大
（5）rcbest （或min rc）
特点：与rcworst相反，电阻小，电容偏大，rc偏小的状态，较长的绕线延迟偏小
在先进工艺下，引入了double pattern(dpt)之后，对于寄生参数提取又加入了新的需要考量的因素，即同一层金属两个mask之间的间距偏差。因此有了下图的几个新的parasitic corners：
（1）ctypical_ccworst
（2）ctypical_ccbest
（3）cworst_ccworst
（4）rcworst_ccworst
（5）cbest_ccbest
（6）rcbest_ccbest
特点 ：在引入dpt之前的corner的基础上加入ccworst或者ccbest，ccworst表示dpt的两个mask间距更小，往总体电容变大的方向偏，而ccbest表示dpt的两个mask间距更大的，往总体电容变小的方向偏。另外，寄生参数的提取也和温度有关，往往和pvt corner的温度对应。不过，实际制造过程中也会发生不同层的金属处在不同corner的情况，在这部分没有办法cover，只能通过net derate，或者clock uncertainty去cover了。
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（2）由于工艺的需要，芯片的绕线空白区域往往不可避免地需要加一些metal fill，而这些metal fill往往对寄生参数提取的结果会造成影响，特别是对于绕线密度比较低的区域。因此建议在尽早带上metal fill去跑寄生参数提取。
（3）大家可能会想到，在hard ip中既有有源器件stdcell，也有无源的绕线，在vendor提供ip的时候一般会有各个scenario的.lib，包括不同pvt和parasitic corner的组合，在使用的时候需要一一对应，避免混用。
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