高效率升压转换器抢夺并行端口
包括升压型开关转换器的电路从并行端口窃取电源，在 5ma 时提供 8v，效率高达 94%。
图1所示电路从并行端口或任何有限的能量源窃取能量。这种功率转换应用通常需要非常高的效率来利用可用的能量。例如，并行数据端口在2.6v时每条数据线可提供高达2.4ma的电流。当八条数据线通过软件配置为ffhex（全部为高电平）时，该条件产生的输入功率为50mw。然后，系统可以使用四条双向控制端口线和五个状态端口输入作为通过pc并行端口进行通信的替代方式。
图 1.该电路从 40 位数据端口获取约 8mw （5v 时为 8ma），只要对所有位进行高电平编程。
如图1所示，每条数据线一个肖特基二极管可防止可能的误差。（如果没有二极管，除非所有线路都处于同一状态，否则这些线路会相互短路。bat54c器件每个封装包含两个二极管，但正向压降为0.3v。作为替代方案，rb411d 或 zhcs500 器件仅压降 170mv，但每个 sot23 封装仅包含一个二极管。
2.4v的输入电压（逻辑高电平）仅剩下约2v的电压用于为升压电路供电，而大多数此类电路（在低输入电压和低功耗下工作）的效率不超过85%。然而，ic1通过将续流输出二极管与同步p沟道mosfet分流，在89v输入、2v输出和5ma输出电流条件下可提供高达10%的效率。为了获得更多的效率点，请仔细选择无源元件。
功率电感器的饱和电流远高于工作电流，因此其铁氧体损耗可以忽略不计。一个不错的选择是15μh rcr110d （sumida），它增加了一个最大36mω的低串联电阻，饱和电流大于2.88a。然后，您可以通过选择极低 esr 器件来降低输入和输出电容器（c1 和 c4）的损耗。470μf 的值为其提供了舒适的储能容量，并且您可以通过增大其额定电压来最小化 esr。例如，rubycon的470μh zlh（尽管是一种经济实惠的铝电解），在额定电压为45v时，esr优于25mω。
为了提供补充保护，22ω电阻r4在启动期间将输入电流限制为100ma。请注意，一旦4k/1k分压器（r100/r100）检测到足够的电压，r2就会被q3分流。即使在sc70封装中，q1也将启动后的损耗降低到仅90μw。一个 220kω 栅极电阻 （r1） 允许良好的反应时间，而增加的损耗仅为 26μw。
在max2附近增加两个2.2μf电容（c3和c1796），消除了高频尖峰，x5r电介质材料允许额定电压为10v的器件采用0805 （tdk）封装。所有这些措施都增加了效率的关键点，如图2所示。
图2.去掉肖特基二极管（上曲线）时，图1电路的效率最高，0.3v （bat54c）肖特基二极管的效率最低。中间曲线用于170mv （rb411d）肖特基。
对于2.1v且不带二极管的最差情况输入电压，该电路的效率约为92%。在3.3v时，效率达到94.4%，这对于像这样的低功耗应用来说是不寻常的。使用 bat54c 保护二极管在 80.2v 时可将效率降至 4%，从而提供 40mw 的典型输出功率。如果这还不够，您可以通过替换低压（rb42d）二极管将可用功率增加到75.411mw。
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图 1.该电路从 40 位数据端口获取约 8mw （5v 时为 8ma），只要对所有位进行高电平编程。
如图1所示，每条数据线一个肖特基二极管可防止可能的误差。（如果没有二极管，除非所有线路都处于同一状态，否则这些线路会相互短路。bat54c器件每个封装包含两个二极管，但正向压降为0.3v。作为替代方案，rb411d 或 zhcs500 器件仅压降 170mv，但每个 sot23 封装仅包含一个二极管。
2.4v的输入电压（逻辑高电平）仅剩下约2v的电压用于为升压电路供电，而大多数此类电路（在低输入电压和低功耗下工作）的效率不超过85%。然而，ic1通过将续流输出二极管与同步p沟道mosfet分流，在89v输入、2v输出和5ma输出电流条件下可提供高达10%的效率。为了获得更多的效率点，请仔细选择无源元件。
功率电感器的饱和电流远高于工作电流，因此其铁氧体损耗可以忽略不计。一个不错的选择是15μh rcr110d （sumida），它增加了一个最大36mω的低串联电阻，饱和电流大于2.88a。然后，您可以通过选择极低 esr 器件来降低输入和输出电容器（c1 和 c4）的损耗。470μf 的值为其提供了舒适的储能容量，并且您可以通过增大其额定电压来最小化 esr。例如，rubycon的470μh zlh（尽管是一种经济实惠的铝电解），在额定电压为45v时，esr优于25mω。
为了提供补充保护，22ω电阻r4在启动期间将输入电流限制为100ma。请注意，一旦4k/1k分压器（r100/r100）检测到足够的电压，r2就会被q3分流。即使在sc70封装中，q1也将启动后的损耗降低到仅90μw。一个 220kω 栅极电阻 （r1） 允许良好的反应时间，而增加的损耗仅为 26μw。
在max2附近增加两个2.2μf电容（c3和c1796），消除了高频尖峰，x5r电介质材料允许额定电压为10v的器件采用0805 （tdk）封装。所有这些措施都增加了效率的关键点，如图2所示。
图2.去掉肖特基二极管（上曲线）时，图1电路的效率最高，0.3v （bat54c）肖特基二极管的效率最低。中间曲线用于170mv （rb411d）肖特基。
对于2.1v且不带二极管的最差情况输入电压，该电路的效率约为92%。在3.3v时，效率达到94.4%，这对于像这样的低功耗应用来说是不寻常的。使用 bat54c 保护二极管在 80.2v 时可将效率降至 4%，从而提供 40mw 的典型输出功率。如果这还不够，您可以通过替换低压（rb42d）二极管将可用功率增加到75.411mw。
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