ST创新类比放大器获QML V认证
意法半导体(stmicroelectronics, st)新推出四款获得qml v官方认证的放大器晶片 rhf484, rhf310, rhf330, rhf350 。新的抗辐射类比元件强化了抗辐射性能，在已发现的恶劣太空环境中能够正常运作，确保设备具有更长的耐用性。
意法半导体的抗辐射类比晶片均采用bicmos制程，拥有极低的功耗。在法国国家太空研究中心(centre national d'etudes spatiales、cnes)的大力支持下，这些元件通过测试后直接进入欧洲产品目录(eppl) 。
新产品包括四款晶片： rhf484, rhf310, rhf330, rhf350 。 rhf484是由4个rhf43b组成的4路运算放大器，可替代工业标准运算放大器晶片，采用flat-14w封装，2011年通过qml v认证。
rhf310和rhf330是超低功耗5v运算放大器，是各种讯号调节应用的理想选择。120mhz和1.0ghz两个型号已取得qml v证书。另一款产品550 mhz rhf350预计于2011年第四季通过认证。
意法半导体以300 krad(si)的标准抗离子化辐射能力(总离子化剂量测试，简称tid)，包括抗低速率辐射测试，而成为航太工业的半导体元件抗辐射参考标准。无强化型低剂量速率敏感效应(eldrs-free)晶片让意法半导体成为首家获得抗辐射保证(rha)认证的半导体供应商。
透过推出无单一事件锁定(single event latch-up，sel)效应和单一事件错误中断测试(single event false interrupt，sefi)效应的元件，意法半导体拥有市场上最高的抗离子化辐射能力，将防止重离子引起烧伤的抗辐射技术提高至新一层级。在这些新产品中，意法半导体引领市场的先进技术还包括单一事件瞬态(single event transients，set)保护功能。单一事件瞬态现象是重离子引起的瞬间错误，是航太类比元件必须克服的一大挑战。
意法半导体的航太领域类比元件在设计方面特别关注单一事件瞬态效应，并经过了全面的特征化分析，拥有瞬间错误脉冲的低振幅，时间短的特性。
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