使用MOSFET进行过流保护的电路原理图
使用 mosfet 进行过流保护 – 电路原理图
电子电路必须具有过流保护，以防止大电流造成损害。由于开关时间快且导通电阻低，mosfet（金属氧化物半导体场效应晶体管）可用作过流保护电路中的开关。在本文中，我们将讨论基于 mosfet 的过流预防的简单原理图电路图。
成分：
检测电阻器 (rs)：该电阻器用于测量流过电路的电流，与负载串联。
比较器（运算放大器）：使用运算放大器将检测电阻器两端的电压与参考电压进行比较。
参考电压（vref）：过流检测的阈值是预设电压。当检测电阻两端的电压大于参考电压时，比较器的输出将改变状态。
mosfet（n沟道）：电路中的开关就是这个mosfet。当比较器的输出为高电平时，mosfet 导通，基本上切断负载与电源的连接。
电路操作：
检测电阻 (rs) 产生的电压与流过它的电流成正比。该电压通过运算放大器与参考电压 (vref) 进行对比。当负载电流在典型范围内时，rs 两端的电压保持低于 vref，运算放大器输出保持低电平。
如果发生过流情况（例如短路或负载电流过大），rs 两端的电压将超过 vref。因此，运算放大器的输出增加。 mosfet 的栅极由该强输出信号驱动，将其打开并切断负载电流。
好处：
该电路非常简单且价格实惠，因此非常适合各种应用。
由于导通电阻较低，mosfet 可以减少开关上的电压骤降。
由于mosfet的快速开关特性，响应时间快。
笔记：
rs 和 vref 等变量的值将根据特定应用的需求而变化。根据预期的负载电流和保护电路的灵敏度，设计人员应选择合适的值。在高功率应用中使用电路时，还应考虑适当的散热和功率考虑因素。
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mosfet（n沟道）：电路中的开关就是这个mosfet。当比较器的输出为高电平时，mosfet 导通，基本上切断负载与电源的连接。
电路操作：
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如果发生过流情况（例如短路或负载电流过大），rs 两端的电压将超过 vref。因此，运算放大器的输出增加。 mosfet 的栅极由该强输出信号驱动，将其打开并切断负载电流。
好处：
该电路非常简单且价格实惠，因此非常适合各种应用。
由于导通电阻较低，mosfet 可以减少开关上的电压骤降。
由于mosfet的快速开关特性，响应时间快。
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