东芝的新型高性能ESD保护二极管 适用于移动设备的高速接口
加利福尼亚州irvine。 ， 2016年5月4日/prnewswire/- 东芝美国电子元件公司（taec）*，一家致力于与科技公司合作创造突破性设计的领导者，今天宣布推出四个新的esd保护二极管：df2b5m4sl，df2b6m4sl，df10g5m4n和df10g6m4n。新型高性能二极管可屏蔽移动设备免受静电放电和噪声影响，专为智能手机，平板电脑，笔记本电脑和可穿戴设备而设计。
“通过应用采用我们专有的回弹技术的新工艺，这些产品同时具有低电容，低动态电阻和高耐久性，”taec业务开发经理 talayeh saderi 指出。 “它们非常坚固，应该有助于提高系统可靠性。”
东芝的新型esd保护二极管通过低动态电阻r dyn =0.5ω实现了高性能。典型值）。与采用传统esd保护二极管阵列工艺 * 1 的二极管相比，电阻提高了50％。
在封装方面，df2b5m4sl和df2b6m4sl的小型sod-962（0.62×0.32 mm）封装使其适合高密度安装，而df10g5m4n和df10g6m4n的dfn10多位封装则可实现流通布局。
主要特点：
高动态电阻保护性能：
r dyn =0.5ω （典型值）（与传统工艺产品相比提高了50％）
通过低电容抑制信号质量下降：
c t = 0.2 pf（典型值）@v r = 0 v，f = 1 mhz
高静电放电电压：
v esd =±20 kv（min）@ iec61000- 4-2（接触放电）
level4（约为传统工艺产品的2倍）
低钳位电压：
df2b5m4sl，df10g5m4n：v c = 24 v（典型值）@i tlp = 30 a
df2b6m4sl，df10g6m4n：v c = 25 v（典型值）@i tlp = 30 a
* 1：df2b7m2sl（eap-ii工艺产品）
主要规格 （@ t a =25ºc）
零件编号 位数 绝对最大额定值 v rwm max（v） v br （v） v c typ（v ） * 3 r dyn typ。 * 3 @ 8到16 a（ω） c t typ。 @ 0 v，1 mhz（pf） 包装
v esd * 2 （kv）
min/max @i br （ma） @ 16 a @ 30 a
df2b5m4sl 1位 ±20 3.6 4/6 1 17 24 0.5 0.2 sod-962
df10g5m4n 4位 dfn10
df2b6m4sl 1位 5.5 5.6/8 18 25 sod-962
df10g6m4n 4位 dfn10
* 2：@ iec61000-4-2 （接触放电）* 3：@tlp参数：z o =50ω，t p = 100 ns，t r = 300 ps，平均窗口t 1 = 30 ns至t 2 = 60 ns
定价和供货情况
东芝的新型esd保护二极管现已上市。请联系您当地的东芝销售办事处获取样品。
*关于taec
通过久经考验的承诺，持久的关系和先进可靠的电子元件，东芝实现了客户创造市场领先的设计。东芝是全球oem，odm，cm，var，分销商和无晶圆厂芯片公司产品突破的核心。作为一家忠实的电子元件领导者，东芝设计和制造高质量基于闪存的存储解决方案，固态硬盘（ssd），硬盘驱动器（hdd），固态混合驱动器（sshd），分立器件，定制soc/asic，成像产品，微控制器，无线组件，移动外围设备，先进材料和医疗管，使当今领先的智能手机，平板电脑，照相机，医疗设备，汽车电子，工业应用，企业解决方案等成为可能。
东芝america electronic components，inc。是toshiba america，inc。旗下的独立运营公司，东芝公司是东芝公司的子公司，是日本最大的半导体，固态硬盘和硬盘驱动器制造商，也是全球第七大半导体公司。制造商（gartner，2015年全球半导体收入，2016年1月）。东芝于1875年在东京成立，是全球网络的核心，拥有超过580家合并公司，在全球拥有超过199,000名员工。
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在封装方面，df2b5m4sl和df2b6m4sl的小型sod-962（0.62×0.32 mm）封装使其适合高密度安装，而df10g5m4n和df10g6m4n的dfn10多位封装则可实现流通布局。
主要特点：
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r dyn =0.5ω （典型值）（与传统工艺产品相比提高了50％）
通过低电容抑制信号质量下降：
c t = 0.2 pf（典型值）@v r = 0 v，f = 1 mhz
高静电放电电压：
v esd =±20 kv（min）@ iec61000- 4-2（接触放电）
level4（约为传统工艺产品的2倍）
低钳位电压：
df2b5m4sl，df10g5m4n：v c = 24 v（典型值）@i tlp = 30 a
df2b6m4sl，df10g6m4n：v c = 25 v（典型值）@i tlp = 30 a
* 1：df2b7m2sl（eap-ii工艺产品）
主要规格 （@ t a =25ºc）
零件编号 位数 绝对最大额定值 v rwm max（v） v br （v） v c typ（v ） * 3 r dyn typ。 * 3 @ 8到16 a（ω） c t typ。 @ 0 v，1 mhz（pf） 包装
v esd * 2 （kv）
min/max @i br （ma） @ 16 a @ 30 a
df2b5m4sl 1位 ±20 3.6 4/6 1 17 24 0.5 0.2 sod-962
df10g5m4n 4位 dfn10
df2b6m4sl 1位 5.5 5.6/8 18 25 sod-962
df10g6m4n 4位 dfn10
* 2：@ iec61000-4-2 （接触放电）* 3：@tlp参数：z o =50ω，t p = 100 ns，t r = 300 ps，平均窗口t 1 = 30 ns至t 2 = 60 ns
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*关于taec
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