Vishay推出非对称双通道TrenchFET功率MOSFE

日前，vishay intertechnology, inc.宣布，推出首款采用powerpair 6mmx3.7mm封装和trenchfet gen iii技术的非对称双通道trenchfet功率mosfet --- siz710dt，新器件比前一代器件的导通电阻减小43%，同时具有更高的最大电流并提高效率。siz710dt在一个小尺寸封装中整合了低边和高边mosfet，具有业界同类器件中最低的导通电阻，比dc-dc转换器中使用两个分立器件的方案能节省很多空间。 vishay将在electronica 2010的a5-143展位进行产品演示，向来宾展示在同步降压电路中该产品的优异性能和powerpair封装节省空间的功效。 在powerpair封装出现之前，设计者只能使用两个单独的器件来达到系统电源、pol、低电流dc/dc，以及笔记本电脑、vrm、电源模块、图形卡、服务器和游戏机所需的低导通电阻和更高的最大电流。siz710dt的性能规格使设计者能用siz710dt比两个分立 powerpak 1212-8 器件小1/3，或是比两个分立so-8 器件小2/3的一个器件完成设计，节省方案成本和空间，包括两个分立mosfet之间的pcb间隙和标注面积。此外，在更低电流和更低电压应用中替换so-8器件还可以提高效率。 一片powerpak 1212-8或so-8的导通电阻可以分别低至5m或4m。然而，siz710dt的低边channel 2 mosfet利用了非对称结构在优化空间上的效果，在10v和4.5v下的导通电阻低至3.3m和4.3m，在+25℃和+70℃下的最大电流为30a和24a。另外，高边channel 1 mosfet的导通电阻也有改善，在10v和4.5v下分别为6.8m和9.0m。 由于两个mosfet已经在powerpair封装内部连接，布线变得更加简单，同时也减小了pcb印制的寄生电感，提高了效率。此外，siz710dt的引脚进行了精心布置，输入引脚排在一侧，输出引脚排在另一侧。 器件通过rg和uis的所有测试，符合rohs指令2002/95/ec，并满足iec 61249-2-21的无卤素规定。 器件规格表： 通道 vds vgs rds(on) @ 10 v rds(on) @ 4.5 v qg (typ) id @ ta = 25 °c id @ ta = 70 °c 1 20 v ± 20 v 6.8 m 9.0 m 6.9 nc 16 a 15 a 2 20 v ± 20 v 3.3 m 4.3 m 18.2 nc 30 a 24 a 新款siz710dt trenchfet功率mosfet现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十四周。

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