晶体管加偏置的理由
晶体管加偏置的理由
现在，我们想要放大某一交流信号，如果直接加到基极-发射极之间会怎样呢？此时，假设集电极已通过负载电阻加上了电压。在此状态下加人输人信号则如图所示，即对基极-发射极加上了与输入信号频率变化相一致的正向、反向来回反转的电压。
但是，晶体管只有当基极-发射极被加载正向电压时才会工作，因此电阻（连接于集电极上的电阻）的两端得到的是被切掉了半边的、只有半波的输入信号整流波形（如果输入信号太小，甚至连此整流波形也无法得到）。结果，得到的是与输入波形相去甚远的波形。
如果预先流通一定大小的直流电流，即使输入波形变为负，基极-发射极之间总为正向电压，输入信号的微弱变化也会如实地被作为输出电阻两端的较大变化而取出。
晶体管偏置电阻怎样计算
晶体管偏置电阻的计算主要是为了确定适当的基极电流以确保晶体管正常工作和线性放大。下面是一般情况下计算晶体管偏置电阻的步骤：
1. 确定晶体管参数和工作点：
- 收集晶体管的参数，例如β（或hfe）、vbe（基极-发射极电压）和vce（集电极-发射极电压）等。
- 确定所需的工作点，包括集电极电压vc、基极电压vb和基极电流ib。
2. 确定基极电流ib：
- 偏置电路的设计目标之一是确定适当的基极电流ib。这取决于所选的晶体管类型、工作点和应用要求。
- 一般而言，ib应该足够大以确保晶体管处于线性放大区，但同时又不能太大，以避免过度的功耗和热量。
3. 计算晶体管偏置电阻rb：
- 选择一个合适的基极电压vb，一般在vbe附近的0.5到0.7之间。
- 通过欧姆定律计算出偏置电阻rb：
rb = （vb - vbe） / ib
在实际设计中，偏置电路会受到不同因素的影响，例如温度变化、晶体管参数的漂移等。因此，如果需要更稳定的偏置，可能需要采用更复杂的偏置电路设计或使用负反馈来提高稳定性。
此外，以上提到的计算步骤是一种常见的近似计算方法。在实际设计中，建议使用电路模拟工具或者进行实验测量来进一步优化偏置电阻的取值并验证设计的可靠性。
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如果预先流通一定大小的直流电流，即使输入波形变为负，基极-发射极之间总为正向电压，输入信号的微弱变化也会如实地被作为输出电阻两端的较大变化而取出。
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1. 确定晶体管参数和工作点：
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- 确定所需的工作点，包括集电极电压vc、基极电压vb和基极电流ib。
2. 确定基极电流ib：
- 偏置电路的设计目标之一是确定适当的基极电流ib。这取决于所选的晶体管类型、工作点和应用要求。
- 一般而言，ib应该足够大以确保晶体管处于线性放大区，但同时又不能太大，以避免过度的功耗和热量。
3. 计算晶体管偏置电阻rb：
- 选择一个合适的基极电压vb，一般在vbe附近的0.5到0.7之间。
- 通过欧姆定律计算出偏置电阻rb：
rb = （vb - vbe） / ib
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此外，以上提到的计算步骤是一种常见的近似计算方法。在实际设计中，建议使用电路模拟工具或者进行实验测量来进一步优化偏置电阻的取值并验证设计的可靠性。
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