东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和改进的反向恢复特性，有助于提高电源效率
中国上海，2023年3月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150v n沟道功率mosfet---“tph9r00cq5”，其采用最新一代[1]u-mosx-h工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。
tph9r00cq5具有行业领先的[2]9.0mω（最大值）的低漏源导通电阻，与东芝现有产品“tph1500cnh1[3]”相比降低了约42%。与此同时，与东芝现有产品“tph9r00cqh4[4]”相比，反向恢复电荷减少约74%，反向恢复[5]时间缩短约44%，上述指标是体现同步整流应用性能的两大关键反向恢复指标。新产品面向同步整流应用[6]，降低了开关电源的功率损耗，有助于提高系统效率。此外，与tph9r00cqh相比，新产品减少了开关过程中产生的尖峰电压，有助于降低电源的emi。
该产品采用业界广泛认可的表面贴装型sop advance（n）封装。
此外，东芝还提供支持开关电源电路设计的相关工具。除能够迅速验证电路功能的g0 spice模型外，现在还提供能够准确地再现电路瞬态特性的高精度g2 spice模型。
东芝利用该产品还开发出了“用于通信设备的1kw非隔离buck-boost dc-dc转换器”与“采用mosfet的3相多电平逆变器”参考设计。即日起可访问东芝官网获取上述参考设计。除此以外，新产品还可用于已发布的“1kw全桥dc-dc转换器”参考设计。
东芝将继续扩大自身的功率mosfet产品线，以降低功率损耗、提高电源效率，并助力改善设备效率。
应用
- 工业设备电源，如用于数据中心和通信基站的电源
- 开关电源（高效率dc-dc转换器等）
特性
- 业界领先的[2]低导通电阻：rds(on)＝9.0mω（最大值）（vgs＝10v）
- 业界领先的[2]低反向恢复电荷：qrr＝34nc（典型值）（-didr/dt＝100a/μs）
- 业界领先的[2]快速反向恢复时间：trr＝40ns（典型值）（-didr/dt＝100a/μs）
- 高额定结温：tch（最大值）＝175℃
主要规格
（除非另有说明，ta＝25℃）
器件型号 tph9r00cq5
绝对最大
额定值 漏极-源极电压vdss（v） 150
漏极电流（dc）id（a） tc＝25℃ 64
结温tch（℃） 175
电气特性 漏极-源极导通电阻
rds(on)最大值（mω） vgs＝10v 9.0
vgs＝8v 11.0
总栅极电荷qg典型值（nc） 44
栅极开关电荷qsw典型值（nc） 11.7
输出电荷qoss典型值（nc） 87
输入电容ciss典型值（pf） 3500
反向恢复时间trr典型值（ns） -didr/dt＝100a/μs 40
反向恢复电荷qrr典型值（nc） 34
封装 名称 sop advance（n）
尺寸典型值（mm） 4.9×6.1×1.0
库存查询与购买 在线购买
参考设计：“用于通信设备的1kw非隔离buck-boost dc-dc转换器”
参考设计：“采用mosfet的3相多电平逆变器”
注：
[1] 截至2023年3月的数据。
[2] 截至2023年3月，与其他150v产品的对比。东芝调查。
[3] 采用当前一代u-mosviii-h工艺的150v产品。
[4] 产品采用与tph9r00cq5相同的生产工艺，并具有相同的电压和导通电阻。
[5] mosfet体二极管从正向偏置切换到反向偏置的开关动作。
[6] 如果新产品用于不执行反向恢复操作的电路，则功耗相当于tph9r00cqh的水平。
如需了解有关新产品的更多信息，请访问以下网址：
tph9r00cq5
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/detail.tph9r00cq5.html
如需了解新产品的更多相关内容，请访问以下网址：
u-mos x-h系列150v mosfet是高效率开关电源的理想选择
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/articles/u-mos-x-h-series-150v-mosfet-ideal-for-efficient-switching-power-supplies.html
通过搭载了150v mosfet的多电平逆变器来提高效率
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/12v-300v-mosfets/articles/efficiency-improvement-by-multi-level-inverter-with-150v-mosfet.html
如需了解东芝mosfet产品的更多信息，请访问以下网址：
mosfets
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets.html
如需了解有关新产品在线分销商网站的供货情况，请访问以下网址：
tph9r00cq5
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.tph9r00cq5.html
*本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，但如有变更，恕不另行通知。
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tph9r00cq5具有行业领先的[2]9.0mω（最大值）的低漏源导通电阻，与东芝现有产品“tph1500cnh1[3]”相比降低了约42%。与此同时，与东芝现有产品“tph9r00cqh4[4]”相比，反向恢复电荷减少约74%，反向恢复[5]时间缩短约44%，上述指标是体现同步整流应用性能的两大关键反向恢复指标。新产品面向同步整流应用[6]，降低了开关电源的功率损耗，有助于提高系统效率。此外，与tph9r00cqh相比，新产品减少了开关过程中产生的尖峰电压，有助于降低电源的emi。
该产品采用业界广泛认可的表面贴装型sop advance（n）封装。
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东芝利用该产品还开发出了“用于通信设备的1kw非隔离buck-boost dc-dc转换器”与“采用mosfet的3相多电平逆变器”参考设计。即日起可访问东芝官网获取上述参考设计。除此以外，新产品还可用于已发布的“1kw全桥dc-dc转换器”参考设计。
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- 开关电源（高效率dc-dc转换器等）
特性
- 业界领先的[2]低导通电阻：rds(on)＝9.0mω（最大值）（vgs＝10v）
- 业界领先的[2]低反向恢复电荷：qrr＝34nc（典型值）（-didr/dt＝100a/μs）
- 业界领先的[2]快速反向恢复时间：trr＝40ns（典型值）（-didr/dt＝100a/μs）
- 高额定结温：tch（最大值）＝175℃
主要规格
（除非另有说明，ta＝25℃）
器件型号 tph9r00cq5
绝对最大
额定值 漏极-源极电压vdss（v） 150
漏极电流（dc）id（a） tc＝25℃ 64
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注：
[1] 截至2023年3月的数据。
[2] 截至2023年3月，与其他150v产品的对比。东芝调查。
[3] 采用当前一代u-mosviii-h工艺的150v产品。
[4] 产品采用与tph9r00cq5相同的生产工艺，并具有相同的电压和导通电阻。
[5] mosfet体二极管从正向偏置切换到反向偏置的开关动作。
[6] 如果新产品用于不执行反向恢复操作的电路，则功耗相当于tph9r00cqh的水平。
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tph9r00cq5
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mosfets
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