三星意图拉大与对手间的差距，2019年的NAND Flash资本支出将达90亿美元
韩国业界最近指出，三星电子2019年的nand flash资本支出将达90亿美元，预计将以韩国平泽、中国西安为主，扩大高容量3d nand生产规模，期望拉大与其它竞争对手间的差距。
据业界消息，三星2018年的nand flash资本支出约64亿美元，预计2019年将扩大为90亿美元左右，明显高于其它nand flash竞争对手的资本支出水平。
2018年各家原厂在64层3d nand上拼产能，2019年全球将集中在先进的96层技术上竞争，身为nand flash龙头的三星，已宣布开始量产第五代96层3d nand，为了确保市场上的领先优势与版图，将采取更为积极的战略，市场恐重现nand flash供给过剩的恶梦。
事实上，继pc、手机之后，汽车、服务器、人工智能等多样化领域需求浮现，三星、东芝/西部数据、sk海力士及美光争相扩产，比如三星在新建fab18工厂后，开始启动西安二期工厂，东芝/西部数据则新建fab6和fab7工厂，美光fab10三期、sk海力士m15，新工厂的建设势必将需要大量的资金投入。
另一方面，中国大力发展存储产业，长江存储已成功量产并出货32层3d nand，武汉存储器基地即将于2018年底前量产3d nand，从2018年至2019年，将执行约65亿美元的扩产投资，nand flash市场竞争势将愈演愈烈。2018年由于各家原厂64层3d nand倾巢出笼，导致上半年nand flash价格持续下滑，且已回到2016年涨价的时期的价位，预计在各家原厂供给过剩的情况加深的影响下，价格将进一步下滑，企业获利备受挑战。
面对这样的情况，三星2019年不仅增加资本投资，且明显高于其它竞争对手的资本支出水平，虽然三星已宣布量产96层3d nand，但是其竞争对手东芝/西部数据也重押96层3d nand，加码投资fab6工厂增加96层技术的生产设备，所以三星必然不会落后他人。
三星重视nand flash技术与投资竞争，除了确保在市场上的领先地位外，更重要的是为了扩大在ssd市场上的市占率，同时也是其他原厂必争之地。随着先进技术降低成本，高容量ssd价格刺激市场需求的增加，预计2018年ssd在消费类pc市场的搭载率将超过50%，正式与hdd平分市场，而且ssd市场应用将持续扩大。
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