Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻
宾夕法尼亚、malvern — 2013 年 11 月29 日 — 日前，vishay intertechnology， inc.（nyse 股市代号：vsh）宣布，推出采用powerpak® chipfet®和powerpak 1212-8s封装的新器件，扩充其trenchfet® p沟道gen iii功率mosfet。今天推出的vishay siliconix mosfet可提高便携式计算和工业控制设备中的电源效率，是-4.5v和-2.5v栅极驱动下具有业内最低导通电阻的-12v和-20v器件，占位面积为3.0mm x 1.9mm x 3.3mm。
si5411edu、si5415aedu和siss23dn适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、工业传感器和pol模块里的电源管理等各种应用中的负载、电池和监控开关。器件的低导通电阻使设计者能够在其电路里实现更低的电压降，更高效地使用电能，延长电池使用寿命。
在节省pcb空间是首要因素的应用里，-12v si5411edu不但具有8.2mω（-4.5v）和11.7mω（-2.5v）低导通电阻，而且3.0mm x 1.9mm powerpak chipfet封装具有明显优势。当需要更高的电压等级时，-20 v si5415aedu可满足需求，具有9.6mω（-4.5v）和13.2mω（-2.5v）的低导通电阻。两款器件的典型esd保护为5000v。对于需要极低导通电阻的应用，siss23dn的4.5mω（-4.5v）和6.3mω（-2.5v）导通电阻可满足需求，3.3mm x 3.3 mm powerpak 1212-8s封装的高度低至0.75mm。
si5411edu、si5415aedu和siss23dn进行了100%的rg和uis测试。这些mosfet符合jedec js709a的无卤素规定，符合rohs指令2011/65/eu。
vishay的p沟道gen iii系列包括60余款器件，占位面积从5mm x 6mm到0.8mm x 0.8mm。有关mosfet的更多信息，请访问http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/。
新款p沟道mosfet现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十三周。
vishay简介
vishay intertechnology， inc. 是在纽约证券交易所上市（vsh）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、mosfet和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使vishay成为了全球业界领先者。有关vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。
trenchfet®、powerpak®和chipfet®是siliconix公司的注册商标。
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vishay的p沟道gen iii系列包括60余款器件，占位面积从5mm x 6mm到0.8mm x 0.8mm。有关mosfet的更多信息，请访问http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/。
新款p沟道mosfet现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十三周。
vishay简介
vishay intertechnology， inc. 是在纽约证券交易所上市（vsh）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、mosfet和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使vishay成为了全球业界领先者。有关vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。
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