ISSI IS62WV20488EALL低电压2Mx8并口SRAM
issi is62wv20488eall/bl和is65wv20488eall/bll是高速16m位sram，组织为2m字乘8位。它主要是使用issi的高性能cmos技术制造的。这种高度可靠的工艺再加上创新的电路设计技术，生产出高性能优质和低功耗的设备。
当为高电平（取消选择）或cs2为低电平（取消选择）时，器件将会进入待机模式，在该模式下可以通过cmos输入电平降低功耗。使用芯片能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的low write enable（低写使能）控制存储器的写入和读取。is62wv20488eall均采用jedec标准的48引脚微型bga（6mm x 8mm）封装。issi代理商宇芯电子可提供样品及技术支持。
框图
特征
高速访问时间：45ns，55ns
·cmos低功耗操作
– 30 mw（典型值）运行
– 12 µw（典型值）cmos待机
·ttl兼容接口级别
·单电源
–1.65v–1.98v vdd（62 / 65wv20488eall）
– 2.2v--3.6v vdd（62 / 65wv20488ebll）
·完全静态操作：无需时钟或刷新
·工业（-40oc至+ 85oc）和汽车（-40oc至+ 125oc）温度支持
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