杂讯/线性效能大突破 硅基RF撼动砷化镓技术详细介绍
砷化镓射频（rf）元件凭藉着优异的杂讯处理及高线性等特色，成为高效能通讯设备开发人员长久以来的首选方案；然而，近来随着绝缘层覆矽（soi）制程技术的突破，以矽材料为基础的rf元件性能已大幅突破，成为替代砷化镓方案的新选择。
近来矽基产品在技术上的突飞猛进，再结合设计制程的改变，使其在高效能射频（rf）及微波应用中，已逐步展现做为砷化镓替代方案的可行性。
设备技术的快速进展带动的需求，通常可以引导发展出最佳设计，即使此一最佳设计在开始之初可能遭到质疑，但仍有获得实践及突破的机会。直到最近，工程师们在为4g基地台、宽频中继器、分散式天线等装置设计rf及微波电路时，都会选择使用砷化镓场效电晶体（gaas fet），以达到最佳杂讯控制及线性效果。
但在相同应用之中，囿于种种原因，矽基产品方案却很少为设计师们所考虑，如今矽基产品已有较以往更为有效的设计，包括大小、成本、可靠度、稳定时间等都已大幅提升，除此之外，在杂讯、失真、瞬间回应等方面亦皆有所改进，可以做为电路设计的重要组成。
砷化镓技术优劣参半 砷化镓技术在无线应用领域，始终扮演着重要角色，其优点是低杂讯及高度线性效果，此二者均超越了矽基产品。因为杂讯及线性是系统中的可变增益放大器、数位步进衰减器、切换器、调变器及混波器等重要组件的关键因素，而砷化镓在这两个方面的优越性能，使其长期成为工程师的首选。
而矽基产品通常应用于数位环境，砷化镓则只能使用在类比应用中。数位的设计通常需要在多层基板之中纳入多晶片模组，但如此的设计通常颇为昂贵，且对于潮湿的环境相当敏感，以致必须予以特殊设计及处理。
基于砷化镓的模组灵敏度等级通常是msl3，故必须在密封后的一周之内予以启用，以确保不会因湿气而导致损坏或功效不佳，甚至导致设备在使用之初即失效。而以矽为材料的积体电路，是以四方平面无接脚（qfn）的方式予以个别封装，故灵敏度等级是较低的msl1，不需要特殊处理，即可执行标准卷轴执行运送。
矽基产品的qfn封装方法，相较于砷化镓的多个层板叠压方式，前者可以拥有较佳可靠度及更低的热电阻，简化了散热管理的设计。
此外，砷化镓产品具有较低的静电释放（esd），表示其只能承受500v的人体放电模式（human-body model， hbm），而矽基产品则可承受2kv，二者相较的结果是砷化镓产品可能会在组装区域中，被较低等级的esd事件所损坏，而相同功能的矽基产品则只需要较少的防静电措施。
绝缘层覆矽（silicon-on-insulator， soi）切换器通常具有如图1的ron x coff等优点，同时可以在较大的隔离中，呈现较低的插入损耗。
图1 基地台无线电区块图显示了矽基产品如何取代砷化镓（深灰色），同时又可以在高效rf装置中获得更好的可靠度、 更高的集成及更低的成本。
最后要说明的是砷化镓产品往往需要依赖外部的被动元件，如感应器或电阻，使得整体空间必须放大，才足以容纳这些外部元件，但同时也增加了复杂度。
砷化镓切换器gate lag明显 需要高速处理资料的设备，包括3g及4g通讯系统、工业系统等，都需要rf电晶体，才得以在接到指令后的时间要求内，完成处理或保持讯号的完整，称为安定时间（settle time）。此一安定时间会受到切换器的gate lag设定值所影响。一般而言，启动切换器后的gate lag可以是上升时间结束的10-90%，以及在完全稳定之后，与电阻的差异。这个值通常会在启动后的97.5-100%之间，gate lag也可视为rf输出功率由90%及完全100%的时间差。
砷化镓产品都有明显的gate lag，特别是在低温环境下，它会显着影响系统效能。一个高速通讯系统就必须在作业之前，先等待gate lag造成的延迟，较长的安定时间可能会限制系统的处理速度及灵活性，也会拉长生产方案的测试时间。
矽基rf方案性能突破 虽然砷化镓产品有着上述缺点，但其卓越的杂讯系数及third-order-intercept（ip3）线性处理能力，仍是难以取代的特色。直到现在，可以做为替代品的矽基产品，才以新一代技术克服传统的限制，提供了更可靠及更为经济的解决方案。
新一代的rf切换器，如idt的f2912产品，其采用soi技术可以在功率放大器（pa）装配环境的高温下稳定运作，这些以矽为材料的切换器可以在大于120℃的高温下，仍然保有卓越的处理效能（0.7b插入损耗、+65dbm ip3及60db的隔离）（图2）。
图2 soi切换器的处理效能（f2912）
idt公司另一个以矽为材料的可变增益放大器（if variable-gain amplifiers， vga）产品f1240，可经由flatnoise技术，提供突破性的snr功能，flatnoise技术可以确保即使在增益减低时，仍可将杂讯系数维持在较低水准（如图3），而在过去的环境中，工程师必须毫无选择地接受每1db带来的增益降低，而在强化的snr系统中，可以在最多2db的杂讯下，仍然保有较高线性处理效能。
图3 flatnoise 技术在if vga的杂讯系数
线性是近来在矽基产品的另一重大改进，如idt即以矽为材料开发rf vga产品，此产品采用 zero-distortion技术，可以在bw的2，000mhz环境中，达到》40dbm oip3，同时在100ma的静态电流中，可拥有23db的调整范围（图4）。一般情况下，在vga更加优化的线性度及频宽，可为工程师提供更大的弹性，设计接收系统。
图4 采用zero-distortion技术的新一代以矽为材料的rf vga（f0480）
图5 glitch-free soi dsa （f1950）
另一项重要的创新技术glitch-free，则可以克服数位步进衰减器（digital step attenuators， dsa）作业的不良影响。glitch-free可以在msb状态中，有效降低瞬间过高的杂讯，由10db降至0.5db。在如发射器的精密电子装置中，此技术可以确保增益功能在相邻组件间顺利转换。由过往的经验可知，较大的10db故障将会损害下游功率放大器。除此之外，传统dsa需要较长的设定时间，此一特性会降低time-domain duplex（tdd）系统的转换效能，藉由glitch-free技术，可以有效消除上述不良影响，提升系统可靠度，同时可以更灵活地运用tdd系统。
砷化镓放大器凭藉着优异的杂讯处理及高度线性等特性，使其成为设计师在高性能rf装置的首选。然而，近来以矽基产品的设计已在杂讯及线性等方面，以各种技术取得突破性进展，这些技术包括soi、zero-distortion、glitch-free等，使得矽基产品在成为砷化镓替代品的选择上，更前进一大步。
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但在相同应用之中，囿于种种原因，矽基产品方案却很少为设计师们所考虑，如今矽基产品已有较以往更为有效的设计，包括大小、成本、可靠度、稳定时间等都已大幅提升，除此之外，在杂讯、失真、瞬间回应等方面亦皆有所改进，可以做为电路设计的重要组成。
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此外，砷化镓产品具有较低的静电释放（esd），表示其只能承受500v的人体放电模式（human-body model， hbm），而矽基产品则可承受2kv，二者相较的结果是砷化镓产品可能会在组装区域中，被较低等级的esd事件所损坏，而相同功能的矽基产品则只需要较少的防静电措施。
绝缘层覆矽（silicon-on-insulator， soi）切换器通常具有如图1的ron x coff等优点，同时可以在较大的隔离中，呈现较低的插入损耗。
图1 基地台无线电区块图显示了矽基产品如何取代砷化镓（深灰色），同时又可以在高效rf装置中获得更好的可靠度、 更高的集成及更低的成本。
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砷化镓切换器gate lag明显 需要高速处理资料的设备，包括3g及4g通讯系统、工业系统等，都需要rf电晶体，才得以在接到指令后的时间要求内，完成处理或保持讯号的完整，称为安定时间（settle time）。此一安定时间会受到切换器的gate lag设定值所影响。一般而言，启动切换器后的gate lag可以是上升时间结束的10-90%，以及在完全稳定之后，与电阻的差异。这个值通常会在启动后的97.5-100%之间，gate lag也可视为rf输出功率由90%及完全100%的时间差。
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图3 flatnoise 技术在if vga的杂讯系数
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