DS1250 4096k、非易失SRAM
ds1250 4096k、非易失sram为4,194,304位、全静态非易失sram，按照8位、524,288字排列。每个完整的nv sram均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视vcc是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。dip封装的ds1250器件可以直接用来替代现有的512k x 8静态ram，符合通用的单字节宽、32引脚dip标准。 powercap模块封装的ds1250器件为表面贴安装、通常与ds9034pc powercap配合构成一个完整的非易失sram模块。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
关键特性
无外部电源时最少可以保存数据10年
掉电期间数据被自动保护
替代512k x 8易失静态ram、eeprom及闪存
没有写次数限制
低功耗cmos操作
70ns的读写存取时间
第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
±10% vcc工作范围(ds1250y)
可选择的±5% vcc工作范围(ds1250ab)
可选的工业级温度范围：-40°c至+85°c，指定为ind
jedec标准的32引脚dip封装
powercap模块(pcm)封装
表面贴装模块
可更换的即时安装powercap提供备份锂电池
所有非易失sram器件提供标准引脚
分离的pcm用常规的螺丝起子便可方便拆卸
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