应用在电源MOSFET驱动器中的光耦
mosfet驱动器是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 dc/dc 转换器和高达100v的电源电压来驱动两个n沟道mosfet。强大的驱动能力降低了具高栅极电容mosfet中的开关损耗。针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达114v的电压条件下运行。
mosfet驱动器
mosfet又叫场效应管，输入电阻极大，兆欧级的，容易驱动，因导通内阻低、开关速度快等优点而广泛应用于开关电源中。在使用mosfet设计开关电源时，大部分人都会考虑导通电阻、最大电压、最大电流，常根据电源ic和mosfet的参数来选择合适的电路。但很多时候仅仅考虑了这些因素并不是一个好的设计方案，还应考虑本身寄生的参数。mos管驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等都会影响mosfet的开关性能。
mosfet驱动电路五种要求：
1、开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使mosfet栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。
2、开关导通期间驱动电路能保证mosfet栅源极间电压保持稳定且可靠导通。
3、关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供mosfet栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断。
4、驱动电路结构简单可靠、损耗小。
5、根据情况施加隔离。
光耦 - mph314
推荐一款来自台湾美禄应用在电源mosfet驱动器中的光耦 - mph314，mph-314系列光耦合器非常适合驱动电源逆变器和用于电机控制的逆变器和mosfet。它包含一个led光学耦合到一个具有功率输出级的集成电路。光耦合器在-40°c~+110°c的温度范围内保证其工作参数。
光耦合器属光电器件中之一环，系一发光及受光元件的组合体，借由光的传输达到导通的要求，为一理想的绝缘体，因此在许多电子电器产品上，皆采用此器件作为【高压隔离】用途。发光器件通常为发光二极体，受光器件通常在低阶产品为光二級管/光三級管/光晶閘管，高阶产品为光耦合積體電路。
光耦- mph314的特性：
1.0a的最大峰值输出电流
轨对轨输出电压
110ns最大传播延迟
带有滞后现象的低电压锁定保护（uvlo）
宽工作范围：10至30伏（vcc）
保证性能超过温度-40°c~+110°c
台湾美禄在光耦合器领域颇有建树，技术以及产品方面已经很完善，如果想了解更多光耦合器的技术资料，请登录工采网官网进行咨询。
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mosfet驱动器
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1、开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使mosfet栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。
2、开关导通期间驱动电路能保证mosfet栅源极间电压保持稳定且可靠导通。
3、关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供mosfet栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断。
4、驱动电路结构简单可靠、损耗小。
5、根据情况施加隔离。
光耦 - mph314
推荐一款来自台湾美禄应用在电源mosfet驱动器中的光耦 - mph314，mph-314系列光耦合器非常适合驱动电源逆变器和用于电机控制的逆变器和mosfet。它包含一个led光学耦合到一个具有功率输出级的集成电路。光耦合器在-40°c~+110°c的温度范围内保证其工作参数。
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光耦- mph314的特性：
1.0a的最大峰值输出电流
轨对轨输出电压
110ns最大传播延迟
带有滞后现象的低电压锁定保护（uvlo）
宽工作范围：10至30伏（vcc）
保证性能超过温度-40°c~+110°c
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