MOSFET在电源设计中是最容易被忽视的电子元器件
金属-氧化物半导体场效晶体管简称金氧半场效晶体管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，mosfet），是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。在电源设计中，mosfet往往是最容易被工程师忽视的电子元器件。
mosfet是电源设计中必不可少的一种电子元器件，大部分工程师对mosfet的使用普遍停留在mosfet元器件的一些基本参数，比如vds，id，rds（on），零件封装。但其实mosfet元器件还有许多重要的参数需要严谨思考和确认，包括ciss，coss，eas，ptot，trr，soa，crss等参数。这些参数对电源产品的性能，稳定性，寿命都有极其重要的影响和作用。
mosfet的主要参数
1、vds，即漏源电压，这是mosfet的一个极限参数，表示mosfet漏极与源极之间能够承受的最大电压值。需要注意的是，这个参数是跟结温相关的，通常结温越高，该值最大。
2、rds（on），漏源导通电阻，它表示mosfet在某一条件下导通时，漏源极之间的导通电阻。这个参数与mosfet结温，驱动电压vgs相关。在一定范围内，结温越高，rds越大;驱动电压越高，rds越小。
3、id，漏极电流，漏极电流通常有几种不同的描述方式。这个参数同样是mosfet的一个极限参数，但此最大电流值并不代表在运行过程中漏极电流能够达到这个值。它表示当壳温在某一值时，如果mosfet工作电流为上述最大漏极电流，则结温会达到最大值。所以这个参数还跟器件封装，环境温度有关。
4、rds（on），是场效应管fet漏极d与源极s之间导通时d、s之间的电阻，on表示导通。
5、qg，栅极电荷，是在驱动信号作用下，栅极电压从0v上升至终止电压（如15v）所需的充电电荷。也就是mosfet从截止状态到完全导通状态，驱动电路所需提供的电荷，是一个用于评估mosfet的驱动电路驱动能力的主要参数。
6、eoss，输出容能量，表示输出电容coss在mosfet存储的能量大小。由于mosfet的输出电容coss有非常明显的非线性特性，随vds电压的变化而变化。
7、vgs，栅源极最大驱动电压，这也是mosfet的一个极限参数，表示mosfet所能承受的最大驱动电压，一旦驱动电压超过这个极限值，即使在极短的时间内也会对栅极氧化层产生永久性伤害。
8、ciss/coss/crss
ciss=cgs+cgd此为截止状态下闸极输入电荷容量包括gate端至source端和+gate端至drain端之和。
coss=cds+cgd此为drain端至source端电荷容量之和，也可以说是寄生二极管逆偏压容量。
crss=cgd此为gate端至drain端的电荷容量，此参数对于高频切换动作影响较大。
9、soa，安全工作区，每种mosfet都会给出其安全工作区域，不同双极型晶体管，功率mosfet不会表现出二次击穿，因此安全运行区域只简单从导致结温达到最大允许值时的耗散功率定义。
10、buds，漏源击穿电压。是指栅源电压ugs一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于buds。
11、pdsm，最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于pdsm并留有一定余量。
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mosfet的主要参数
1、vds，即漏源电压，这是mosfet的一个极限参数，表示mosfet漏极与源极之间能够承受的最大电压值。需要注意的是，这个参数是跟结温相关的，通常结温越高，该值最大。
2、rds（on），漏源导通电阻，它表示mosfet在某一条件下导通时，漏源极之间的导通电阻。这个参数与mosfet结温，驱动电压vgs相关。在一定范围内，结温越高，rds越大;驱动电压越高，rds越小。
3、id，漏极电流，漏极电流通常有几种不同的描述方式。这个参数同样是mosfet的一个极限参数，但此最大电流值并不代表在运行过程中漏极电流能够达到这个值。它表示当壳温在某一值时，如果mosfet工作电流为上述最大漏极电流，则结温会达到最大值。所以这个参数还跟器件封装，环境温度有关。
4、rds（on），是场效应管fet漏极d与源极s之间导通时d、s之间的电阻，on表示导通。
5、qg，栅极电荷，是在驱动信号作用下，栅极电压从0v上升至终止电压（如15v）所需的充电电荷。也就是mosfet从截止状态到完全导通状态，驱动电路所需提供的电荷，是一个用于评估mosfet的驱动电路驱动能力的主要参数。
6、eoss，输出容能量，表示输出电容coss在mosfet存储的能量大小。由于mosfet的输出电容coss有非常明显的非线性特性，随vds电压的变化而变化。
7、vgs，栅源极最大驱动电压，这也是mosfet的一个极限参数，表示mosfet所能承受的最大驱动电压，一旦驱动电压超过这个极限值，即使在极短的时间内也会对栅极氧化层产生永久性伤害。
8、ciss/coss/crss
ciss=cgs+cgd此为截止状态下闸极输入电荷容量包括gate端至source端和+gate端至drain端之和。
coss=cds+cgd此为drain端至source端电荷容量之和，也可以说是寄生二极管逆偏压容量。
crss=cgd此为gate端至drain端的电荷容量，此参数对于高频切换动作影响较大。
9、soa，安全工作区，每种mosfet都会给出其安全工作区域，不同双极型晶体管，功率mosfet不会表现出二次击穿，因此安全运行区域只简单从导致结温达到最大允许值时的耗散功率定义。
10、buds，漏源击穿电压。是指栅源电压ugs一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于buds。
11、pdsm，最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于pdsm并留有一定余量。
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