半导体清洗液中溶解氢气对晶圆清洗的影响
在最近的半导体清洁方面，以生物碱为基础的rca清洁法包括大量的超纯和化学液消耗量以及清洁时多余薄膜的损失； 由于环境问题，对新的新精液和清洁方法的研究正在积极进行。 特别是在超纯水中混合气体，利用megasonic进行功能水清洁，是为了解决传统rca清洁液存在的问题而进行的清洁液。
本研究将高纯度的氢气作为气体接触器； phasorⅱ和可调节循环速度的水泵， 用bps-3持续超纯水与氢气混合的方法制备了氢气水，用溶解氢浓度计、dhdi-1确定了氢气水的浓度。 在0.1 mpa压力下，在3lpm的氢气流出速度下，得到了最大2.0 ppm的氢气水，为了评价氢气水的基础特性，测定了氢气浓度变化下的ph值、表面能。 同时测量了压力变化下的半衰期，评价了其在bath型清洁器中应用的可行性。 氢水的清洁力利用si3n4颗粒被任意污染的硅晶片，在bath和梅叶式清洁器中，将氢水浓度和兆芯形态及添加剂变化后的清洁效率分别与现有的sc-1清洁液进行比较。
在功能水发生装置中，在卸压的情况下，观察到平均半衰期为20分钟， 确定了在压力保持的情况下，氢数的浓度保持不变，对于ph值，随着氢数浓度的逐渐增加而减小，在2.0 ppm的浓度下，ph值为5.3左右，表面张力与超纯相比，可以确定无显著变化。在bath型的清洁器中，认可megasonic对氢的清洁效率进行了测量，测量结果与相同条件下实验的超纯水相似，比sc-1低。 而在梅叶式洗脱机上进行了同等条件的实验，结果表明，在氢水洗脱机中，由于添加剂的影响，具有较高的颗粒去除效率，可以替代sc-1。
本论文是用反应性bcl3等离子体对gaas进行干法蚀刻后，对其结果进行研究分析的。 此时采用的蚀刻工艺参数为bcl3等离子体中气体流量、工艺压力和rie尺功率的变化。 首先将工艺压力固定在75 mtorr，然后改变bcl3流量（2.5~10 sccm）进行了试验。 并将bcl3的流量固定在5sccm，然后改变工艺压力（47~180 mtorr），进行了蚀刻实验。 最后在47 mtorr和100 mtorr各自的工艺压力下，改变rf尺功率（50~200 w）进行了实验。
在gaas等离子体蚀刻结束后，采用表面落差测量仪对表面的落差和粗糙度进行了分析； 随后利用所得结果进行了蚀刻率、蚀刻表面粗糙度、蚀刻选择比等蚀刻特性评价。 并利用光学发光分析仪对蚀刻工艺中样品尺产生的磁偏置和bcl3等离子体气体进行了等离子体的状态实时分析。
总结所产生的gaas的蚀刻结果可以发现，将5sccm的bcl3气体流量和rf尺功率固定在100w时，蚀刻率在47 mtorr时最高，其值为0.42微米/min。 gaas的蚀刻速度随着工艺压力的增加而降低，在180 mtorr时蚀刻率为0.03微米/min，几乎没有蚀刻。 此外，我们还将工艺压力设置为75 mtorr， 当rf尺功率固定在100 w，bcl3气体流量从2.5 sccm变化到10 sccm时，在10 sccm的bcl3气体流量下测得最高蚀刻率为0.87微米/min。
gaas随压力蚀刻后的表面粗糙度比较光滑，最大为2纳米左右，在几乎未蚀刻的180 mtorr条件下降低到约1纳米。 在本实验条件下，gaas对感光剂的蚀刻选择比最大约在3:1以内。
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本研究将高纯度的氢气作为气体接触器； phasorⅱ和可调节循环速度的水泵， 用bps-3持续超纯水与氢气混合的方法制备了氢气水，用溶解氢浓度计、dhdi-1确定了氢气水的浓度。 在0.1 mpa压力下，在3lpm的氢气流出速度下，得到了最大2.0 ppm的氢气水，为了评价氢气水的基础特性，测定了氢气浓度变化下的ph值、表面能。 同时测量了压力变化下的半衰期，评价了其在bath型清洁器中应用的可行性。 氢水的清洁力利用si3n4颗粒被任意污染的硅晶片，在bath和梅叶式清洁器中，将氢水浓度和兆芯形态及添加剂变化后的清洁效率分别与现有的sc-1清洁液进行比较。
在功能水发生装置中，在卸压的情况下，观察到平均半衰期为20分钟， 确定了在压力保持的情况下，氢数的浓度保持不变，对于ph值，随着氢数浓度的逐渐增加而减小，在2.0 ppm的浓度下，ph值为5.3左右，表面张力与超纯相比，可以确定无显著变化。在bath型的清洁器中，认可megasonic对氢的清洁效率进行了测量，测量结果与相同条件下实验的超纯水相似，比sc-1低。 而在梅叶式洗脱机上进行了同等条件的实验，结果表明，在氢水洗脱机中，由于添加剂的影响，具有较高的颗粒去除效率，可以替代sc-1。
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在gaas等离子体蚀刻结束后，采用表面落差测量仪对表面的落差和粗糙度进行了分析； 随后利用所得结果进行了蚀刻率、蚀刻表面粗糙度、蚀刻选择比等蚀刻特性评价。 并利用光学发光分析仪对蚀刻工艺中样品尺产生的磁偏置和bcl3等离子体气体进行了等离子体的状态实时分析。
总结所产生的gaas的蚀刻结果可以发现，将5sccm的bcl3气体流量和rf尺功率固定在100w时，蚀刻率在47 mtorr时最高，其值为0.42微米/min。 gaas的蚀刻速度随着工艺压力的增加而降低，在180 mtorr时蚀刻率为0.03微米/min，几乎没有蚀刻。 此外，我们还将工艺压力设置为75 mtorr， 当rf尺功率固定在100 w，bcl3气体流量从2.5 sccm变化到10 sccm时，在10 sccm的bcl3气体流量下测得最高蚀刻率为0.87微米/min。
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