开关电源高效之利器——同步整流ic U7711HS
开关电源高效之利器——同步整流ic u7711hs
对于开关电源，在次级必然要有一个整流输出的过程。作为整流电路的主要元件，通常用的是整流二极管（利用它的单向导电特性），它可以理解为一种被动式器件，但容易导致电源效率降低，损耗产生的高温带来新的问题。同步整流技术和通态电阻（几毫欧到十几毫欧）极低的专用功率mosfet就是在这个时刻走上开关电源技术发展的历史舞台了。同步整流ic u7711hs高压供电模块，无需vdd辅助绕组供电，减低了系统成本，值得了解！
同步整流ic u7711hs是一款用于替代反激变换器中副边肖特基二极管的高性能同步整流功率开关，内置超低导通阻抗功率mosfet以提升系统效率。u7711hs支持“浮地”和“共地”同步整流两种架构，同时支持系统断续工作模式(dcm)和准谐振工作模式(qr)。u7711hs内置vdd高压供电模块，无需vdd辅助绕组供电，降低了系统成本。u7711hs内部集成有vdd欠压保护功能和vdd电压钳位。
同步整流ic u7711hs主要特点：
1. 反激拓扑副边同步整流功率开关
2. 支持“浮地”和“共地”同步整流两种拓扑
3. 支持断续工作模式(dcm)和准谐振工作模式(qr)
4. 5ma 钳位电流)
8. 封装信息 sop-8
在原边mosfet导通期间，同步整流ic u7711hs内部7.1v稳压器将从其drain管脚抽取电流向vdd供电，以使vdd电压恒定在7.1v左右。基于高频解耦和供电考虑，推荐选取容量为1uf的陶瓷电容作为vdd电容。系统开机以后，芯片内部高压ldo从drain管脚抽取电流向vdd电容供电。当vdd电压低于欠压保护阈值后（3.1v 典型值），芯片进入睡眠模式，同时内部同步整流mosfet进入关断状态，副边绕组电流经内部同步整流mosfet的体二极管实现续流。当vdd电压高于vdd开启电压后（4v 典型值），芯片开始工作。芯片内部同步整流mosfet只在副边续流期间才能开通。
肖特基整流管可以看成一条建在泥土上没有铺水泥的灌溉用的水道，从源头下来的水源在中途渗漏了很多，十方水可能只有七、八方到了农田里面。而同步整流技术就如同一条镶嵌了光滑瓷砖的引水通道，除了一点点被太阳晒掉的损失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于浇灌那些我们日日赖以生存的粮食。想要提供更高转换效率的电源转换器，记得选择同步整流ic u7711hs！
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同步整流ic u7711hs是一款用于替代反激变换器中副边肖特基二极管的高性能同步整流功率开关，内置超低导通阻抗功率mosfet以提升系统效率。u7711hs支持“浮地”和“共地”同步整流两种架构，同时支持系统断续工作模式(dcm)和准谐振工作模式(qr)。u7711hs内置vdd高压供电模块，无需vdd辅助绕组供电，降低了系统成本。u7711hs内部集成有vdd欠压保护功能和vdd电压钳位。
同步整流ic u7711hs主要特点：
1. 反激拓扑副边同步整流功率开关
2. 支持“浮地”和“共地”同步整流两种拓扑
3. 支持断续工作模式(dcm)和准谐振工作模式(qr)
4. 5ma 钳位电流)
8. 封装信息 sop-8
在原边mosfet导通期间，同步整流ic u7711hs内部7.1v稳压器将从其drain管脚抽取电流向vdd供电，以使vdd电压恒定在7.1v左右。基于高频解耦和供电考虑，推荐选取容量为1uf的陶瓷电容作为vdd电容。系统开机以后，芯片内部高压ldo从drain管脚抽取电流向vdd电容供电。当vdd电压低于欠压保护阈值后（3.1v 典型值），芯片进入睡眠模式，同时内部同步整流mosfet进入关断状态，副边绕组电流经内部同步整流mosfet的体二极管实现续流。当vdd电压高于vdd开启电压后（4v 典型值），芯片开始工作。芯片内部同步整流mosfet只在副边续流期间才能开通。
肖特基整流管可以看成一条建在泥土上没有铺水泥的灌溉用的水道，从源头下来的水源在中途渗漏了很多，十方水可能只有七、八方到了农田里面。而同步整流技术就如同一条镶嵌了光滑瓷砖的引水通道，除了一点点被太阳晒掉的损失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于浇灌那些我们日日赖以生存的粮食。想要提供更高转换效率的电源转换器，记得选择同步整流ic u7711hs！
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