Diodes推出微型12V P通道强化型MOSFET—DMP1245UFCL
diodes公司推出微型12v p通道强化型mosfet——dmp1245ufcl，有助提升电池效率及减少电路板空间，并满足空间局限的便携式产品设计要求，如智能手机及平板计算机等。
这款新mosfet采用超精密及高热效率的dfn1616封装，并具有极低的导通电阻 (rds(on)) 特性，能将传导损耗降至最低水平，从而延长电池寿命。例如在vgs为4.5v的条件下，该mosfet的导通电阻仅为29mω，这比其最接近的竞争对手产品的导通电阻性能还要优越15%，有利于电源中断及一般负载开关的应用。
dfn1616的标准离板剖面为0.5毫米，比其对手的产品薄20%，并只占2.56平方毫米的印刷电路板面积 (pcb)，比竞争对手同类型2毫米乘2毫米的较大封装节省55%的空间。
同时，dmp1245ufcl为用户提供防静电放电 (esd) 的增强保护。该mosfet的额定闸极保护为3kv，比同类产品高出50%，因此对人为产生的静电放电所造成的影响有很强的抵御作用。
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