绝缘栅型场效应管(MOS管)
绝缘栅型场效应管(mos管)
1.绝缘栅型场效应营的结构
绝缘栅型场效应管的结构如图16-6 所示。它和结型场效应管在结构上的主要不同之处在于，它的栅极是从si02上引出的，栅极与源极和漏极是绝缘的。正因为如此，绝缘栅型场效应管的输入电阻极高，可达1 x 10 12ω以上，而输入电流几乎为零。
绝缘栅型场效应管和结型场效应管一样，有n 沟道和p 沟道两种类型，每种类型又分为增强型和耗尽型两种。图16-6 中(a) 为增强型， (b) 为耗尽型。这两种类型的结构都是在p型材料的基层上扩散两个高掺杂的n 区，引出的电极即为源极和漏极。当ugs = 0 时，漏源极已存在导电沟道的，称为耗尽型场效应管;必须在i ugs l>o 的情况下才能形成导电沟道的，称为增强型场效应管。
另外，从材底基片上还引出一个电极，称为衬底电极b 。在分立元件中，常将b 电极与源、极s 相连。
综上所述，绝缘栅型场效应管有四种不同的类型，即n沟道增强型、n沟道耗尽型、p沟道增强型和p 沟道耗尽型。它们的代表符号如图16-7 所示。
2. 绝缘栅型场效应管的特性曲线
n 沟道耗尽型绝缘栅型场效应管的特性曲线如图16-8 所示，它基本上与n 沟道结型场效应管的特性一致。
n沟道增强型绝缘栅型场效应管的特性曲线如图16-9 所示。从转移特性曲线上可以看出，当ugs小于开启电压ut时，id≈0 。只有当ugs等于开启电压ut时，才开始形成导电沟道，此时当ugs进一步增加时，id也开始增大。
在ugs > ut，管子形成导电向道后，可以得到输出特性曲线。当uds =0 时，id =0当uds为正值增大时， id将随uds的增大而增大。当uds增大到uds = ugs - ut时，导电沟道被夹断，这时若再增大uds， id仍保持恒定而不再增加，即处于饱和区。对应不同的ugs值，沟道的深浅不同，所以夹断后的id值各不相同，从而形成一组特性曲线。
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在ugs > ut，管子形成导电向道后，可以得到输出特性曲线。当uds =0 时，id =0当uds为正值增大时， id将随uds的增大而增大。当uds增大到uds = ugs - ut时，导电沟道被夹断，这时若再增大uds， id仍保持恒定而不再增加，即处于饱和区。对应不同的ugs值，沟道的深浅不同，所以夹断后的id值各不相同，从而形成一组特性曲线。
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