关于MOSFET的结构和电学特性的总结
一、通道长度校正
如果v_ds>v_gs-v_th，则通道将具有夹断效果，并且通道长度将稍短。在许多情况下，可以忽略此长度变化，但是如果精度要求相对较高，则应考虑信道长度变化，公式如下：
通道的有效长度l随着v_ds的增加而略有减少，因此i_d随着v_ds的增加而略有增加。i_d可以使用以下公式表示
如果不考虑通道长度的变化，则v_a是无限的，而如果我们考虑通道长度的变化，则v_a是有限的值。随v_ds变化的i_d的伏安特性曲线如下。
二、mosfet的结构和电学特性总结
1、mosfet具有由金属层、绝缘层和半导体基板组成的三层结构。当前，大多数金属层使用多晶硅代替金属作为栅极材料，但是原理是相同的，绝缘层通常是二氧化硅。
2、mosfet是对称的，只有在施加电压时才能确定栅极，确定源极，确定漏极。在nfs的情况下，它依靠电子来导电，并且电子的“源”定义为源能级。因此，低压侧是源极，高压侧是漏极。
3、沟道中的电荷量分布不均匀，靠近源极的一端的电荷量高，而靠近漏极的一端的电荷量低。
4、当栅极电压超过源极电压v_th时，沟道中会积累足够的电荷。只要源极和漏极之间存在电压差，这些电荷就可以流动并在电压驱动下形成电流。
5、伏安特性曲线表示：
(1)当v_gs v_th && v_ds v_th && v_ds> v_gs-v_th的情况下，源极和漏极之间存在连续性，并且通道具有夹断效应，i_d仅与v_gs有关(不考虑通道长度的变化)。随着时间的流逝，mosfet是一个受控电流源，这时它由v_gs控制，称为饱和区。
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如果v_ds>v_gs-v_th，则通道将具有夹断效果，并且通道长度将稍短。在许多情况下，可以忽略此长度变化，但是如果精度要求相对较高，则应考虑信道长度变化，公式如下：
通道的有效长度l随着v_ds的增加而略有减少，因此i_d随着v_ds的增加而略有增加。i_d可以使用以下公式表示
如果不考虑通道长度的变化，则v_a是无限的，而如果我们考虑通道长度的变化，则v_a是有限的值。随v_ds变化的i_d的伏安特性曲线如下。
二、mosfet的结构和电学特性总结
1、mosfet具有由金属层、绝缘层和半导体基板组成的三层结构。当前，大多数金属层使用多晶硅代替金属作为栅极材料，但是原理是相同的，绝缘层通常是二氧化硅。
2、mosfet是对称的，只有在施加电压时才能确定栅极，确定源极，确定漏极。在nfs的情况下，它依靠电子来导电，并且电子的“源”定义为源能级。因此，低压侧是源极，高压侧是漏极。
3、沟道中的电荷量分布不均匀，靠近源极的一端的电荷量高，而靠近漏极的一端的电荷量低。
4、当栅极电压超过源极电压v_th时，沟道中会积累足够的电荷。只要源极和漏极之间存在电压差，这些电荷就可以流动并在电压驱动下形成电流。
5、伏安特性曲线表示：
(1)当v_gs v_th && v_ds v_th && v_ds> v_gs-v_th的情况下，源极和漏极之间存在连续性，并且通道具有夹断效应，i_d仅与v_gs有关(不考虑通道长度的变化)。随着时间的流逝，mosfet是一个受控电流源，这时它由v_gs控制，称为饱和区。
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