镁光年中量产25nm NAND闪存

镁光年中量产25nm nand闪存
镁光公司nand闪存市场开发部门的经理kevin kilbuck近日透露镁光计划明年将其nand闪存芯片制程转向25nm以下级别,他表示镁光今年年中将开始批量生产25nm制程nand闪存芯片,并将于明年转向更高级别的制程。他并表示镁光也计划开发自己的电荷捕获型(charge trap flash (ctf))闪存技术,以取代现有的浮栅型( floating-gate)nand闪存技术。
killbuck还向digitimes网站表示,镁光的新款nand闪存芯片将遵循新的ez-nand规范。目前开放式nand闪存接口工作组( open nand flash interface (onfi) industry working group)正在编制ez-nand规范标准,预计该标准的编制工作将于今年年中完成。
ez-nand规范的重要特性是要求nand闪存芯片内建ecc纠错功能,这样设计者便不需要频繁改进闪存控制器以便满足ecc纠错的需求。

小米11登顶12月案子手机性能榜
iphone8什么时候上市?最新消息:iphone 8新功能曝光!全面屏+3D面部识别,没有指纹识别又何妨!
热升华打印机的进出纸系统
区块链和加密货币免费在线课程,可帮助您获取加密和区块链相关信息
PCB设计板材颜色对于性能的影响有哪些
镁光年中量产25nm NAND闪存
关于有刷直流电机结构分析
vivo新机跑分曝光 或主打线下产品
苹果MagSafe双项充电器开售
【璟丰机电】Harmonic哈默纳科减速机执行元件在各领域应用案例
小米MIX Alpha采用了360度环形屏幕设计将售价19999元
苹果推出触控笔后能增加iPhone的销量吗
Micro LED红光显示为什么是难题?
基于IP网络架构实现网络监控系统的设计方案
航空接插件的选择方法以及使用规则
什么是抖动?使用抖动消除量化失真
数据标签体系要如何建立?
浅谈TCP面向连接的虚电路实现
函数指针与回调函数
华为鸿蒙系统2.0手机Beta版将在12月16日发布