新一代高效率低VCEsat晶体管
新一代高效率低vcesat晶体管
恩智浦半导体（nxp semiconductors）近日宣布推出新第四代低vcesat (biss)晶体管的前8种产品。该产品家族分成两种优化的分支：超低vcesat 晶体管以及高速开关晶体管。其电压范围为20 v - 60 v，采用小型smd封装sot23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和sot457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。
这些晶体管称为突破性小信号(biss)晶体管，正如其名，它们为减少打开导通电阻确立了新的基准，使开关时间减到绝对最小值。超低vcesat 分支的晶体管在1 a时实现了50 mv的超低饱和电压。4种新的高速开关晶体管使开关和存储时间降低到125 ns。新型biss-4产品表明，双极晶体管技术为要求更高性能和降低开关损耗的应用提供了理想选择。
恩智浦半导体小信号晶体管产品市场经理frank thiele说，“通过推出采用杰出的低电阻基底技术的第四代biss晶体管，恩智浦为采用小型smd封装的低vcesat 晶体管确立了行业发展方向，为双极晶体管技术打开了新的应用。”
新的biss-4晶体管提供了高电路效率、低功率损耗，产生的热量要小于相同封装的标准晶体管。这些新产品的dc集电极电流为4.3 a (峰值 icm 8 a)，采用小型sot23封装，其性能是采用sot23的上一代低vcesat 晶体管的两倍。新的biss-4晶体管是为大批量消费者应用、通信应用、计算应用和汽车应用中的负荷开关、开关式电源(smps)和电源管理功能设计的。
所有8种新型晶体管都满足aec-q101标准，其封装不含卤化物和氧化锑，满足ul 94v-0阻燃标准和rohs标准。在2010年第一季度末即将推出的smd封装的其它类型sot89、sot223和so-8，将扩大新的低vcesat (biss)晶体管系列。恩智浦半导体在10年前推出了biss晶体管家族，目前是这些产品的领导供应商。
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