三星1nm时代光刻机体积将增加
近日，在日本东京举办的itf论坛上，与asml合作研发光刻机的比利时半导体研究机构imec公布了3nm及以下制程在微缩层面技术细节。
目前，asml在3nm、2nm、1nm甚至sub 1nm都已经做出了清晰的路径规划，据了解，1nm时代的光刻机在体积方面将会增加不少。
体积增加的主要原因是光学器件增大所致，洁净室指数也达到天花板。
据悉，在台积电、三星的7nm、5nm制造中已经引入了na=0.33的euv曝光设备，而在2nm后就需要更高分辨率的曝光设备，也就是na=0.55。
现在，asml已经完成了0.55na曝光设备的基本设计（nxe：5000系列），预计将会在2022年实现商业化。
asml目前在售的两款极紫外光刻机分别是twinscan nxe：3400b和twinscan nxe：3400c，预计3600d计划在明年年中出货，其生产效率将会提升18%。
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