JFET级联实现恒定精确电流源的方法
很多工艺控制传感器（如热敏电阻器和应变桥）都需要精确的偏置电流。增加一只电流设置电阻器r1后，电压基准电路ic1就可以构成一个恒定和精确的电流源（图1）。但是，该电流源的误差与r1和ic1的精度有关，并影响着测量精度和分辨率。虽然我们可以采用精度高于大多数常用电压基准ic1的高精度电阻器，但电压基准的误差左右了该电流源的精度。制造商会尽力减小电压基准的温度灵敏度和输出电压误差，但对电源变动的敏感性仍可影响到它的精度，尤其是对于必须工作在供电电压范围很宽的工艺控制应用场合。
级联的jfet可降低电源电压波动对电流源精度的影响
用一个级联的jfet对—q1和q2构成的恒流源可以减小基准电路对供电电压波动的敏感性，并将ic1的工作电压扩展到5.5v最大额定值。另外，q1和q2还有效地将电流源的等效电阻从数兆欧几乎提高到千兆欧范围。在电路的norton模型中，等效电阻代表理想电流源上的并联电阻。
当n沟道jfet的栅源偏压为0v时，就是一个工作在最大饱和漏极电流下的耗尽型器件。与需要栅极偏压才能导通的耗尽型mosfet相比，jfet工作在默认的导通状态，需要栅
极偏压来关断。当栅源电压比源电压更负时，jfet的漏极电流在关断电压下趋向零。jfet的漏极电流大致围绕其栅极偏置电流而变化：id≈idss×（1+vgs/vp）2，其中id是漏极电流，idss是漏极饱和电流，vgs是栅源电压，而vp是关断电压。
假定ic1的输出电压vref保持在恒定1.8v。由于输出电压驱动q2的栅极，ic1的输入电压vin等于 vref-vgs（q2），或1.8v-（-1.2v）=3v。因此，q2的栅源电压就保持在其1.2v的标称关断电压上，并与电流源的微小变动保持一致性的变化。当电源电压从3v变化至30v以上时，输入电压仍能保持基本恒定，因为vref也保持不变。级联fet结构增加了电流源的norton等效电阻，使之超出只有电压基准和r1的情况。使用单只jfet也可以，但两只jfet的堆叠可进一步提高电路的等效阻抗。注意ic1并没有降低精度，这是因为jfet将ic1的输入电压保持在几乎恒定状态，而ic1还有效地消除了初始栅源电压变化，以及q1和q2引起的温度影响。
kirchhoff电压回路由vin、vref和vgs（q2）组成，其负反馈可以使漏极电流达到一个均衡偏置点，符合q2的传输公式。q2的漏极电流为 （vref/r1）与ic1内部“家务管理”电流ignd之和，是恒定的。增加q1可将q2输出阻抗的影响降低至无关紧要的程度。调整r1的值可在一个有用范围内（200ma~5 ma）变化电路的输出电流，而q2的饱和漏极电流是上限。如果你选择了一个有较高饱和漏极电流的jfet，一定要确保不超过q1的最大功耗值。
注意，电路的电源电压下限必须高于电路的3v电压与传感器产生的电压降之和：isource×r2。电路的电源电压上限决不能超过isource×r2+30v。例如，当为一个1kω压力传感器桥r2 加上2.5 ma 电流时，电源电压范围限制为5.5v ~ 32.5v。在电源电压很宽范围内，电路输出电流的变动小于1ma（图2）。
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当n沟道jfet的栅源偏压为0v时，就是一个工作在最大饱和漏极电流下的耗尽型器件。与需要栅极偏压才能导通的耗尽型mosfet相比，jfet工作在默认的导通状态，需要栅
极偏压来关断。当栅源电压比源电压更负时，jfet的漏极电流在关断电压下趋向零。jfet的漏极电流大致围绕其栅极偏置电流而变化：id≈idss×（1+vgs/vp）2，其中id是漏极电流，idss是漏极饱和电流，vgs是栅源电压，而vp是关断电压。
假定ic1的输出电压vref保持在恒定1.8v。由于输出电压驱动q2的栅极，ic1的输入电压vin等于 vref-vgs（q2），或1.8v-（-1.2v）=3v。因此，q2的栅源电压就保持在其1.2v的标称关断电压上，并与电流源的微小变动保持一致性的变化。当电源电压从3v变化至30v以上时，输入电压仍能保持基本恒定，因为vref也保持不变。级联fet结构增加了电流源的norton等效电阻，使之超出只有电压基准和r1的情况。使用单只jfet也可以，但两只jfet的堆叠可进一步提高电路的等效阻抗。注意ic1并没有降低精度，这是因为jfet将ic1的输入电压保持在几乎恒定状态，而ic1还有效地消除了初始栅源电压变化，以及q1和q2引起的温度影响。
kirchhoff电压回路由vin、vref和vgs（q2）组成，其负反馈可以使漏极电流达到一个均衡偏置点，符合q2的传输公式。q2的漏极电流为 （vref/r1）与ic1内部“家务管理”电流ignd之和，是恒定的。增加q1可将q2输出阻抗的影响降低至无关紧要的程度。调整r1的值可在一个有用范围内（200ma~5 ma）变化电路的输出电流，而q2的饱和漏极电流是上限。如果你选择了一个有较高饱和漏极电流的jfet，一定要确保不超过q1的最大功耗值。
注意，电路的电源电压下限必须高于电路的3v电压与传感器产生的电压降之和：isource×r2。电路的电源电压上限决不能超过isource×r2+30v。例如，当为一个1kω压力传感器桥r2 加上2.5 ma 电流时，电源电压范围限制为5.5v ~ 32.5v。在电源电压很宽范围内，电路输出电流的变动小于1ma（图2）。
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