华为麒麟960是最好的手机芯片吗？高通即将发布10纳米骁龙835
11月17日，华为海思麒麟960刚登上了央视，展示了通信（接受信息）和处理信息的两大能力。央视首次视频演示了华为在发布会上提到了14款常用应用打开速度测试，结果麒麟960的mate 9在13款中击败三星galaxy note 7和iphone 7 plus。
同一天，qualcomm incorporated（今日宣布，其子公司qualcommtechnologies， inc.（qti）和三星电子有限公司延续双方十年之久的战略性晶圆代工合作，将采用三星10纳米finfet制程工艺打造qualcommtechnologies最新款顶级处理器——qualcomm®骁龙™835处理器。（以下内容来自《高通》的信息）
在下一代顶级处理器中采用三星先进制程的决定，突显了qualcomm technologies作为移动平台技术领军企业的不懈努力。
qualcomm technologies. inc.产品管理高级副总裁keith kressin表示：“我们非常高兴继续与三星合作，共同开发引领移动行业的产品。全新10纳米制程节点的采用，预计将使我们顶级系列的骁龙835处理器带来更低的功耗与更高的性能，同时也让我们能够增加诸多全新功能，从而提升未来的移动终端用户体验。”
今年10月，三星宣布率先在业界实现了10纳米 finfet工艺的量产。与其上一代14纳米finfet工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。通过采用10纳米finfet工艺，骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，让oem厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合，预计将会显著提升电池续航。
另外，消息表示骁龙835将支持全新的quick charge 4.0快充技术，最高功率可达28w，quick charge 4能在大约15分钟或更短时间内，充入高达50%的电池电量。通过qualcomm technologies的平行充电技术dual charge，与使用qc 3.0相比，用户可享受到高达20%的充电速度提升，以及高达30%的效率提升，同时还集成了对usb type-c和usb-pd的支持。
早期也有消息称高通和三星合作，高通将下一代处理器全部交由三星代工，作为交换条件，三星下一代产品s8，半数以上需要使用骁龙835处理器。如今看来这个消息可信度很高，既然三星和高通已经达到深度合作的关系，相信下一代的galaxy s8很有可能是首发搭载高通骁龙835处理器的手机。
目前基本已经确定三星将会在2017年2月份的mwc上发布这款旗舰产品——galaxys8，从时间上看，也符合骁龙835正式商用的日期。对如今的三星来说，s8无疑是决定命运的一款手机，期待三星能够为我们带来一款足够惊艳的galaxy s8。
三星执行副总裁及晶圆代工业务主管jongshik yoon表示：“我们很高兴有机会与qualcomm technologies进行密切合作，采用我们的10纳米 finfet工艺生产骁龙835。作为我们晶圆代工业务的一项重要里程碑，此次合作显示了对于三星领先制程工艺的信心。”
目前，骁龙835已经投入生产，预计搭载骁龙835的商用终端将于2017年上半年出货。骁龙820/21处理器已经拥有超过200款设计发布或正在开发中，骁龙835正是其后续产品。
高通这次没有披露具体架构，如果和文中一样，使用10nm的工艺较三星的14nm工艺，可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。那么使用和三星14nm相当的台积电 16nmffplus工艺的kirin 960在面世才一个多月，就已经被高通反超了。
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在下一代顶级处理器中采用三星先进制程的决定，突显了qualcomm technologies作为移动平台技术领军企业的不懈努力。
qualcomm technologies. inc.产品管理高级副总裁keith kressin表示：“我们非常高兴继续与三星合作，共同开发引领移动行业的产品。全新10纳米制程节点的采用，预计将使我们顶级系列的骁龙835处理器带来更低的功耗与更高的性能，同时也让我们能够增加诸多全新功能，从而提升未来的移动终端用户体验。”
今年10月，三星宣布率先在业界实现了10纳米 finfet工艺的量产。与其上一代14纳米finfet工艺相比，三星10纳米工艺可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。通过采用10纳米finfet工艺，骁龙835处理器将具有更小的芯片尺寸，让oem厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间，以支持更大的电池或更轻薄的设计。制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合，预计将会显著提升电池续航。
另外，消息表示骁龙835将支持全新的quick charge 4.0快充技术，最高功率可达28w，quick charge 4能在大约15分钟或更短时间内，充入高达50%的电池电量。通过qualcomm technologies的平行充电技术dual charge，与使用qc 3.0相比，用户可享受到高达20%的充电速度提升，以及高达30%的效率提升，同时还集成了对usb type-c和usb-pd的支持。
早期也有消息称高通和三星合作，高通将下一代处理器全部交由三星代工，作为交换条件，三星下一代产品s8，半数以上需要使用骁龙835处理器。如今看来这个消息可信度很高，既然三星和高通已经达到深度合作的关系，相信下一代的galaxy s8很有可能是首发搭载高通骁龙835处理器的手机。
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