双向低电压变换器GTL2002D的性能特性及作用
射型收发器逻辑 - 收发器电压钳位（gtl-tvc）提供低on状态电阻和最小传输延迟的高速电压变换。gtl2002提供2个带有共栅（gref）的nmos传输晶体管（sn和dn）和一个参考晶体管（sref和dref）。该器件允许1.0 v和5.0 v之间的双向电压变换而无需使用方向引脚。
当sn或dn端口为低电平时，钳位处于通态且sn和dn端口之间存在低电阻连接。假设dn端口上为更高的电压，当dn端口为高电平时，sn端口上的电压限制为参考晶体管（sref）设置的电压。当sn端口为高电平时，上拉电阻会将dn端口上拉至vcc。此功能允许在用户选择的更高和更低电压之间进行无缝变换，而无需方向控制。
所有晶体管具有相同的电特性，输出间的电压或传输延迟具有最小的偏差。由于晶体管是对称制造的，所以这有利于分离式晶体管电压变换解决方案。因为器件中的所有晶体管完全相同，所以可在任何其他两个匹配sn/dn晶体管上寻找sref和dref，允许更方便的电路板布局。转换器的晶体管为低电压器件提供极佳的esd保护并同时保护低esd抗性器件。
特性：
2位双向低电压变换器
允许1.0 v、1.2 v、1.5 v、1.8 v、2.5 v、3.3 v和5 v总线（允许直接连接gtl、gtl+、lvttl/ttl和5 v cmos电平）之间的电压电平变换
提供双向电压变换，无方向引脚
输入和输出引脚（sn/dn）之间有低6.5 ω导通状态阻抗（ron）
支持热插入
无需电源；不会闭锁
5 v耐受输入
低待机电流
直通引出线便于印刷电路板走线排布
esd保护：超过2000 v hbm（根据jesd22-a114）；超过1000 v cdm（根据jesd22-c101）
提供的封装：so8、tssop8 （msop8）、vssop8、xqfn8
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当sn或dn端口为低电平时，钳位处于通态且sn和dn端口之间存在低电阻连接。假设dn端口上为更高的电压，当dn端口为高电平时，sn端口上的电压限制为参考晶体管（sref）设置的电压。当sn端口为高电平时，上拉电阻会将dn端口上拉至vcc。此功能允许在用户选择的更高和更低电压之间进行无缝变换，而无需方向控制。
所有晶体管具有相同的电特性，输出间的电压或传输延迟具有最小的偏差。由于晶体管是对称制造的，所以这有利于分离式晶体管电压变换解决方案。因为器件中的所有晶体管完全相同，所以可在任何其他两个匹配sn/dn晶体管上寻找sref和dref，允许更方便的电路板布局。转换器的晶体管为低电压器件提供极佳的esd保护并同时保护低esd抗性器件。
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