MRAM的优势与劣势
mram是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术（mram设备是spintronics设备）。mram具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与sram的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。下面由宇芯电子介绍mram有哪些的优劣势.
mram优势分析
mram的核心面积只有sram的1/2-1/4，也就是说同面积下缓存容量是sram的2-4倍，可以大大降低成本。
cpu的性能要想进一步提高，缓存容量也必须跟着提高才能容纳更多的数据和指令，而缓存占用的核心面积往往比核心更大（看看intel core处理器的架构图就知道了，nvidia也曾攻击intel说他们的芯片其实在卖没技术含量的缓存而已）。
在这方面ibm和希捷在2009年的hpca（高性能计算机体系结构国际研讨会）上公布过有关l2缓存使用mram的研究成果，这里摘录如下：
首先设定一个模型，使用65nm coms工艺制造sram和mram，同样的面积下后者的容量可达前者四倍，如果转换成存储cell，那么mram的cell数大约是40，而sram则是146。
mram的不足：写入性能下降
mram技术也不是没有死穴，写入性能下降就是一例。模拟结果表明，mram的写入速度下降了12-19%，整体的ipc指令性能下降了3-7.5%左右。
sram的延迟约为2.264ns，而mram则有11.024ns，是前者的5倍多。
写入数据时功耗增加也是mram的不足之一，sram写入过程只消耗0.797nj（纳焦），而mram需要4.997nj，是前者的6倍多。不过待机时就不一样了，2mb sram需要2.089w功耗，而8mb mram只需要0.255w，压倒性的胜利。
mram具有可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得mram适用于汽车和工业，军及太空应用，这些对于mram开发人员来说是重要的部分。
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